针对室内LED灯源光强分布不平坦、传统Lambert模型未考虑非直射信道、环境中噪声和干扰、障碍物遮挡、室内边界及不规则房间布局等问题，提出基于并行全连接-卷积神经网络（PFCNN）模型的室内可见光定位（VLP）最优灯源布局方案。通过采集现场灯源坐标、功率和朝向角等灯源信息及其对应的接收平面光强分布构建指纹库数据集，并用蒙特卡罗方法衡量光强分布平坦度参数；提出采用全连接神经网络和并行全连接神经网络建立可见光信道模型；基于PFCNN模型构建光强平坦度预测模型；采用动量粒子群优化K-Means++（Mot-PSO-K-Means++）算法实现最优灯源布局。仿真分析可知：并行全连接神经网络相比全连接神经网络精确度提升84.69%；在5 m×5 m×3 m的室内空间中，4-LED布局下光强平坦度达到92.00%，光强范围为340~440 lx；12-LED布局下光强平坦度达到91.00%，光强范围为980~1120 lx。该方案有更高的平坦度、较强适用性，可应用于实际室内VLP场景，为室内VLP深入研究提供理论支撑。

在原子干涉仪、原子陀螺仪等精密测量的领域中, 最基本也是最重要的一步就获得冷原子, 而当实验需要连续和高重复性的测量时, 对于冷原子的装载就会要求有更快的速率。为了能更快的装载冷原子, 就需要一束高通量、低速的冷原子束。在实验上实现了87Rb原子的二维冷却磁光阱(2D-MOT)的冷原子束, 其对3D-MOT的装载率为2.8×109 atoms/s。该系统基于87Rb原子2D-MOT+push beam方案, 选择了红失谐为20 MHz功率为50 mW的两束入射冷却光, 在冷却光入射到真空腔之前使用扩束系统将其光斑扩束成短轴为25 mm、长轴为75 mm的椭圆形光斑, 在冷却光入射真空腔之后在真空腔的另一端用镀了四分之一波片膜的反射镜来得到对射的激光。

研究物面分波前反射镜运动调制参考光双曝光全息测量物体位移方向的理论与方法。在两次曝光全息图的记录过程中,置于物面的分波前反射镜作微位移,则该反射镜反射的参考光被反射镜运动所调制,由此记录的双曝光全息干涉图不仅含有物体位移数值的信息,而且还含有位移方向的信息。通过理论分析,建立了当观察点移动时这类双曝光干涉图上干涉条纹的移动方向与物体位移方向及分波前反射镜位移方向之间的相互关系和基本规律,导出了相关公式,并确立了测量物体位移方向的方法,给出了实验结果。

本文提出一种利用磁光阱冷却捕获技术制备低速、连续、单色性好原子束的方法及技术。采用3维磁光阱从背景Rb蒸汽中捕获Rb87原子进行冷却、捕获形成原子云团，利用在纵向方向上结构设计的小孔将冷原子云团推出形成冷原子束，并在原子束行进方向上采用2维光学黏胶对原子束进行准直，采用态制备激光对其进行态制备，全部制备到Rb87原子的基态能级｜F=1上，从而为原子惯性技术(原子干涉仪、原子重力仪、原子加速度计)、原子频标(原子钟)提供低速、连续、单色性好的原子束。文章对于制备技术的实验系统及实验结果进行了详细的阐述。

简要介绍了我们实验组冷却、俘获87Rb原子的磁光阱装置及冷却俘获过程.采用收集荧光法测得了俘获的冷原子数目,并根据冷原子团尺寸推算出了冷原子团密度.通过在冷原子团下方4 mm,7 mm,10 mm三处设置圆柱形探测光束,在原子自由下落过程中获得了短程飞行时间(TOF)吸收信号,通过数值拟合得到了冷原子的温度.结果表明:俘获的冷原子数目大约为109个,密度大约为1011个/cm3,冷却温度约为200μK,该冷原子团能作为很好的EIT介质.

对短程飞行时间法(time－of－flight，TOF)中推算冷原子温度的理论拟合公式与近似拟合公式进行了误差分析与比较。研究表明：对于使用短程飞行吸收光谱信号推测冷原子团温度，当探测光光斑半径与冷原子团高斯半径之比k小于0．2时，理论拟合公式和近似拟合公式能很好的相符，随着探测光光斑半径与冷原子团高斯半径比值的逐渐增大，用近似拟合公式所得TOF吸收信号与用理论拟合公式所得TOF吸收信号的误差也将逐渐增大，当比值为0．5时，用近似拟合公式所得TOF吸收信号的误差将增大到20%。

对⁸⁵Rb原子D₂线三能级系统的电磁诱导透明进行了详细的实验研究.得到了不同耦合强度下探测光的吸收线型,并对气室中热原子与磁光阱中冷原子的电磁诱导透明光谱进行了比较.

提出了两种新颖的采用载流导线的双阱微磁表面囚禁方案(即双U形与双Z形导线囚禁)。通过改变囚禁方案中直导线中的电流方向,即可将双U形导线囚禁改变为双Z形导线囚禁;如果逐渐减小直导线中的电流大小,即可将一个双阱微磁囚禁连续地合并为一个单阱微磁囚禁,反之亦然。详细计算和分析了上述两种载流导线囚禁方案的磁场及其梯度的空间分布。研究发现在导线中通以较小的电流,即可在导线表面附近产生很大的磁场梯度及其曲率。例如当电流为0.2 A时,其磁场梯度和曲率可分别达到0.2 T/cm和10 T/cm2以上。由于双U形导线囚禁中存在磁场零点,而双Z形导线囚禁中仅存在磁场最小值,所以双U形导线囚禁仅适用于制备双样品磁光囚禁(MOT)或研究中性原子的冷碰撞,而双Z形导线囚禁除了可用于研究原子的冷碰撞之外,还可以用于制备双样品玻色爱因斯坦凝聚(BEC)或实验研究双阱玻色爱因斯坦凝聚的性质等。