1 厦门大学 物理与机电工程学院, 福建 厦门 361005
2 阜阳师范学院 计算机与信息工程学院, 安徽 阜阳 236037
3 厦门大学 能源研究院, 福建 厦门 361005
通过仿真优化探测器的结构参数和性能, 设计了基于0.25 μm标准BCD (Biplor,CMOS and DMOS)工艺的大面积多叉指状PIN光电探测器.选择已优化的大面积光电探测器用于和跨阻放大器以及后端放大器单片集成, 采用0.25 μm BCD工艺实现了一个用于650 nm塑料光纤通信的单片集成光接收芯片.结果表明: 多叉指状PIN光电探测器对650 nm入射光的响应度提高至0.260 A/W, 其结电容降低至4.39 pF.对于650 nm的入射光, 在速率250 Mb/s、误码率小于10-9的条件下, 光接收芯片的灵敏度为-23.3 dBm, 并得到清晰的眼图.该光电探测器可用于宽带接入网中的高速塑料光纤通信系统的光接收芯片中.
塑料光纤通信 光接收芯片 多叉指PIN 光电探测器 BCD工艺 Plastic optical fiber communication Optical receiver Multi-finger PIN Photodetector BCD process
