1 中国科学院上海技术物理研究所，上海 200083
2 中国科学院大学，北京 100049
设计了一种专门用于对日观测成 像稳像系统的超高精度太阳敏感器。针对传统的四象限 太阳敏感器的不足，设计了一种基于十字差动式太阳硅光电池片 的探测器，以提高灵敏度和抗干扰能力。该系统在有效视场 (1°)内具有10″的低误差。
太阳成像 高精度太阳敏感器 十字式硅光电池片 角秒级 solar-observing high-precision solar sensor cross-type silicon photovoltaic cell arc-second level
1 南京航空航天大学 材料科学与技术学院, 江苏省能量转换材料与技术重点实验室, 南京 210016
2 常州大学 江苏省光伏科学与工程协同创新中心, 江苏 常州 213164
室温下用射频磁控溅射法在玻璃和p型单晶硅衬底上沉积ITO薄膜, 并对其进行不同温度的退火处理。采用XRD衍射仪测试薄膜结晶性, 用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试试样光电性能, 用吉时利2400表测试ITO/p-Si接触的I-V曲线, 用线性传输线模型测试比接触电阻。研究结果表明: 室温下沉积的ITO薄膜与p-Si形成欧姆接触, 但比接触电阻较大。退火处理可以进一步优化接触性能, 200℃退火后试样保持欧姆接触且比接触电阻下降为8.8×10-3Ω·cm2。随着退火温度进一步升高到300℃, 比接触电阻达到最低值2.8×10-3Ω·cm2, 但接触性能变为非线性。
ITO薄膜 欧姆接触 p型单晶硅 退火 ITO film Ohmic contact p-type silicon annealing
1 上海电力学院 数理学院, 上海 200090
2 嘉兴学院 数理与信息工程学院, 浙江 嘉兴 314001
3 上海大学-索朗光伏材料与器件R&D联合实验室, 上海 200444
传统制备P型硅基太阳能电池的方法被应用到N型硅片上, 成功制备出n+np+结构的N型硅基太阳能电池。在制备过程中利用补偿法形成np+背结, 无需保护背面。最高效率为13.1%(Voc=0.58 V, Jsc=31.2 mA/cm2, FF=72.4%)。
N型硅 太阳能电池 背结 丝网印刷 N type silicon solar cell back junction screen printing
1 上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093
2 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
采用电化学腐蚀方法, 将不同比例的乙醇和质量分数为40%的氢氟酸混合, 并以此混合液为腐蚀液, 在光照条件下, 制备了N型轻掺杂的多孔硅。讨论了不同电化学腐蚀条件对多孔硅结构的影响。研究表明, 电流密度、腐蚀时间和氢氟酸质量分数越大时, 制备的多孔硅越深, 孔径也越大, 当以上三者数值过大时会导致多孔硅机械强度急速减弱。由表面形貌可知, 当多孔层孔径小于500 nm时其机械强度良好, 当孔径超过这一阈值尤其是大于800 nm时, 多孔层骨架则极易断裂。
电化学 多孔硅形貌 N型硅 electrochemistry porous silicon morphology N-type silicon
