传统制备P型硅基太阳能电池的方法被应用到N型硅片上, 成功制备出n+np+结构的N型硅基太阳能电池。在制备过程中利用补偿法形成np+背结, 无需保护背面。最高效率为13.1%(Voc=0.58 V, Jsc=31.2 mA/cm2, FF=72.4%)。

采用电化学腐蚀方法, 将不同比例的乙醇和质量分数为40%的氢氟酸混合, 并以此混合液为腐蚀液, 在光照条件下, 制备了N型轻掺杂的多孔硅。讨论了不同电化学腐蚀条件对多孔硅结构的影响。研究表明, 电流密度、腐蚀时间和氢氟酸质量分数越大时, 制备的多孔硅越深, 孔径也越大, 当以上三者数值过大时会导致多孔硅机械强度急速减弱。由表面形貌可知, 当多孔层孔径小于500 nm时其机械强度良好, 当孔径超过这一阈值尤其是大于800 nm时, 多孔层骨架则极易断裂。

采用PIN结构，研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明，器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm)，暗电流小于50nA(Vr=135V)，象限间串扰低于2.5%。

应用基于α-型硅钼黄显色的分光光度法进行草类原料蒸煮黑液中硅含量的测定。 测定波长360 nm， pH 4.0， 时间10 min。 实验中采用过氧化氢-硝酸消解法消除样品中木素成分对光度检测的干扰。 研究表明： 该方法的相对偏差及回收率分别为0.9%和99.0%～102%。 该方法具有操作简便、 快速， 稳定性好， 准确性高， 试剂干扰少的优点， 可用于黑液中高硅含量的日常快速分析。

We investigate the dispersion properties of nanometer-scaled silicon waveguides with channel and rib cross section around the optical fiber communication wavelength and systematically study their relationship with the key structural parameters of the waveguide. The simulation results show that the introduction of an extra degree of freedom in the rib depth enables the rib waveguide more flexible in engineering the group velocity dispersion (GVD) compared with the channel waveguide. Besides, we get the structural parameters of the waveguides that can realize zero-GVD at 1550 nm.

研究了一种基于反射型硅基液晶(LCOS)面板的全息再现系统,它可以有效地提高再现图像的质量。利用琼斯矩阵详细分析了透射式扭曲型液晶面板对光的相位调制特性,推导出扭曲型LCOS 面板相位调制特性和反射效率的琼斯矩阵表示形式。以两种不同类型的最新LCOS 面板为核心搭建了两套全息再现系统,再现了计算机模拟生成的全息图。实验结果表明LCOS 面板用于全息再现可以得到很好的结果。最后,给出了像素大小等对再现图像质量的影响。

用激光-V棱镜装置测得耐热型硅树脂在632.8 nm和650 nm波长上的热光系数分别为-3.3×10-4 /℃和-3.6×10-4 /℃。以石英玻璃为衬底,用该材料制作了平板波导,用棱镜耦合法测量了不同温度下波导的有效折射率,利用平板波导模式本征方程求解出不同温度下导波层的膜厚与折射率,分析了有效折射率随温度变化的特点。根据导波层折射率与厚度的变化和高分子材料的克劳修斯莫索提公式,分析出该材料的极性分子较大,是引起负热光系数大的原因。该材料适合用于研制低功耗、与塑料光纤匹配的短距离光通信热光开关。

通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素.通过选择不同的器件结构和工艺条件,得到了色敏器件对蓝紫光的响应,完成了全色波段硅双结型色敏器件的研制.