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相同关键词【高阻p型硅】论文列表

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高阻p型硅大面积四象限探测器的研制

向勇军 ^*黄烈云李作金

作者单位

摘要

重庆光电技术研究所,重庆 400060

采用PIN结构，研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明，器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm)，暗电流小于50nA(Vr=135V)，象限间串扰低于2.5%。

高阻p型硅四象限探测器串扰 high R0 p-type Si four-quadrant detector cross talk

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半导体光电

2012, 33(3): 364

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