1 兰州文理学院 电子信息工程学院, 甘肃 兰州 730000
2 兰州大学 物理科学与技术学院, 甘肃 兰州 730000
对PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析, 并讨论了晶面指数(100)Si单晶的晶格结构。在此基础上, 评述了PTCDA分子在P-Si单晶(100)晶面上生长的机理, 并制备了样品PTCDA/P-Si(100)。利用XRD对样品测试得出, 在P-Si(100)晶面上沉积的PTCDA薄膜中仅存在α物相。利用XPS对样品测试得出, 在其界面层中PTCDA酸酐中的4个羟基O原子与C原子结合, 其结合能为532.4 eV; 苝核基团外围的8个C、H原子以共价键结合, 其结合能为289.0 eV; 在界面处, 悬挂键上的Si原子与PTCDA酸酐中的C、O原子结合, 形成C—Si—O键及C—Si键, 构成了界面层的稳定结构。
有机半导体材料PTCDA P-Si(100)晶面 生长机理 organic semiconducot material PTCDA P-type Si(100) crystal face growing mechanism
采用PIN结构，研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明，器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm)，暗电流小于50nA(Vr=135V)，象限间串扰低于2.5%。
高阻p型硅 四象限探测器 串扰 high R0 p-type Si four-quadrant detector cross talk
