The silicon-based arrayed waveguide grating (AWG) is widely used due to its compact footprint and its compatibility with the mature CMOS process. However, except for AWGs with ridged waveguides of a few micrometers of cross section, any small process error will cause a large phase deviation in other AWGs, resulting in an increasing cross talk. In this paper, an ultralow cross talk AWG via a tunable microring resonator (MRR) filter is demonstrated on the SOI platform. The measured insertion loss and minimum adjacent cross talk of the designed AWG are approximately 3.2 and -45.1 dB, respectively. Compared with conventional AWG, its cross talk is greatly reduced.

在（211）B碲锌镉衬底上，采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料，通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺，实现中长双色640×512 红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明，表面宏观缺陷（2~10 μm）密度统计分布约773 cm^-2，同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽（FWHM）测试和位错腐蚀坑（EPD）统计，XRD测试FWHM约31.9 arcsec，EPD统计值约为5×10⁵_{cm^-2；双色器件芯片台面刻蚀深度达到8 μm以上，深宽比达到1∶1以上，侧壁覆盖率达到72.5%。中长双色红外焦平面组件测试结果表明，中波波长响应范围为3.6~5.0 μm，长波波长响应范围为7.4~9.7 μm，中波向长波的串音为0.9 %，长波向中波的串音为3.1 %，中波平均峰值探测率达到3.31×10¹¹ cm·Hz^1/2/W，NETD为17.7 mK；长波平均峰值探测率达到6.52×10¹⁰ cm·Hz^1/2/W，NETD为32.8 mK；中波有效像元率达到99.46%，长波有效像元率达到98.19 %，初步实现中长双色红外焦平面组件研制。}

采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料，外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明，InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec，10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82?。77 K下，SiO₂钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×105Ω?cm2，暗电流密度为5.27×10-7A?cm-2，侧壁电阻率为6.83×106Ω?cm。经阳极硫化后，器件最大RA值为1.86×106Ω?cm2，暗电流密度为4.12×10-7A?cm-2，侧壁电阻率为4.49×107Ω?cm。相同偏压下，硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级，侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试，器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能，其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55 μm和4.62 μm，在1.44 μm、2.7 μm和4 μm处，响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。

研究了基于BEPCⅡ直线加速器的腔式束流位置探测系统（CBPM）的设计。本方案给出的CBPM探头工作频率为S波段，束流管道半径23 mm，参考腔TM₀₁₀工作频率和位置腔TM₁₁₀的工作频率一致。由线下测试结果可知，CBPM实物特征参数与仿真结果一致，CBPM水平和垂直方向工作频率分别为2502 MHz和2503 MHz；垂直和水平的四个端口交叉隔离度均优于?44.7 dB；测量线性区域好于10 mm。射频前端电子学负责对CBPM探头的模拟信号进行滤波、放大和下变频等调制。将CBPM探头置于标定平台，对经过CBPM信号进行时域和频域分析，通过计算得到CBPM水平、垂直方向线下分辨率分别为2.87 μm、2.16 μm。