采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料，外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明，InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec，10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82?。77 K下，SiO₂钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×105Ω?cm2，暗电流密度为5.27×10-7A?cm-2，侧壁电阻率为6.83×106Ω?cm。经阳极硫化后，器件最大RA值为1.86×106Ω?cm2，暗电流密度为4.12×10-7A?cm-2，侧壁电阻率为4.49×107Ω?cm。相同偏压下，硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级，侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试，器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能，其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55 μm和4.62 μm，在1.44 μm、2.7 μm和4 μm处，响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。