短沟道效应对器件性能的影响不可忽略, 高k/金属栅极(High-k/Metal Gate, HKMG)器件可以很好地抑制短沟道效应。HKMG器件中金属栅极的制备工艺有前栅极制造工艺和后栅极制造工艺, 其中虚拟栅去除(Dummy Poly Removal, DPRM)过程是后栅极制造中一道至关重要的制程。由于P型MOS管和N型MOS管的金属栅极填充材料不同, 制造工艺中要先完成一种MOS管金属栅极的制作再进行另一种MOS管金属栅极的制作, DPRM后N型MOS管和P型MOS管交界处的结构形貌会直接影响金属栅极的填充, 进而影响器件性能。在电子回旋共振刻蚀等离子体源条件下, 探究DPRM工艺中过刻蚀过程的关键参数对NMOS管和PMOS管交界处结构形貌的影响, 进而总结出减弱N/P型MOS管交界处侧向凹陷程度的工艺条件。

基于瞳孔收缩分析研究低照度LED光对人的非视觉效应。选择10名受测者、6种彩光LED和5种低照度, 进行瞳孔受光反射实验; 实验全程用红外视频记录仪拍摄, 由基于OpenCV开发的程序完成瞳孔大小的计算。结果显示: 在同一照度水平下, 蓝光波段光源非视觉效应最为显著, 瞳孔稳定收缩率和恢复收缩率随着光源波长向短波方向偏移而增大; 在同一光源下, 瞳孔稳定收缩率与恢复收缩率随照度加强而增大, 并且在10~70 lx间两瞳孔收缩率存在线性相关, 相关系数均大于0.95; 两瞳孔收缩率分别与生物节律因子存在线性相关, 表明用瞳孔收缩率能较好表征非视觉生物效应的大小。