在可见光无线通信中, 用于照明的LED光源的调制带宽很低, 只有几MHz, 限制了基于LED光源的可见光通信的信息传输容量和速度。为构建高带宽LED, 研究影响LED调制带宽的因素和机制。设计3组PN结面积分别为200 μm×800 μm, 300 μm×900 μm和300 μm×1 200 μm的LED芯片并倒装封装成LED器件, 测试这3组器件的光电特性和调制带宽, 并比较3组样品的电容曲线, 分析调制带宽的主要影响因素之一——电容对LED器件的影响机制。实验结果表明: PN结面积为200 μm×800 μm的LED器件具有最小电容, 且具有最高的49.9 MHz的-3 dB调制带宽。由于封装、测试电路等引起寄生电容对LED器件调制带宽有重要影响, 通过优化器件倒装结构、LED驱动电路等方法可以大幅度减少测试系统的寄生电容, 提高LED器件的调制带宽。