目的: 比较不同能量的Er:YAG激光对早期种植体周围炎治疗的临床疗效。方法: 纳入90例(男51例, 女39例, 年龄24~69岁)早期种植体周围炎患者, 分A、B、C、D四组, 治疗前均进行传统的龈上洁治及龈下手工刮治。实验组分别用40 mJ、60 mJ、80 mJ的Er:YAG激光进行照射, 术中用视觉模拟评分法(visual analogue scale, VAS)记录患者疼痛程度; 对照组用盐酸米诺环素处理牙周袋。临床治疗1次/周, 3次后记录第1周、4周、8周、12周时各组临床指标: 菌斑指数(plaque index, PLI)、出血指数(bleeding index,BI)、探诊深度(probing depth, PD)、骨缺损深度(defect depth, DD), 并与基线指标进行比较。结果: 治疗后各组临床指标较治疗前均有明显改善(P＜0.05)。PLI在各组无明显差异; BI的改善在80 mJ组优势突出; 第12周时实验组PD及DD改善优于对照组(P＜0.05); 在PD改善上第1周时40 mJ较其他组弱, 第4周、8周及12周时60 mJ、80 mJ的改善突出; 术中VAS比较能量越大患者的评分越高。结论: 在安全范围内, 本研究中推荐使用60 mJ、20 Hz的Er:YAG激光对早期种植体周围炎进行照射, 效果较佳。

在可见光无线通信中, 用于照明的LED光源的调制带宽很低, 只有几MHz, 限制了基于LED光源的可见光通信的信息传输容量和速度。为构建高带宽LED, 研究影响LED调制带宽的因素和机制。设计3组PN结面积分别为200 μm×800 μm, 300 μm×900 μm和300 μm×1 200 μm的LED芯片并倒装封装成LED器件, 测试这3组器件的光电特性和调制带宽, 并比较3组样品的电容曲线, 分析调制带宽的主要影响因素之一——电容对LED器件的影响机制。实验结果表明: PN结面积为200 μm×800 μm的LED器件具有最小电容, 且具有最高的49.9 MHz的-3 dB调制带宽。由于封装、测试电路等引起寄生电容对LED器件调制带宽有重要影响, 通过优化器件倒装结构、LED驱动电路等方法可以大幅度减少测试系统的寄生电容, 提高LED器件的调制带宽。

考虑光子晶体中场局域效应, 在等效介质理论的基础上利用场平均法得到二维三角格光子晶体的等效折射率.该折射率与平面波展开法得到的结果非常吻合.考虑慢光效应对非线性效应的增强, 引入慢光增强因子得到该光子晶体的等效非线性折射率系数.该光子晶体的等效非线性折射率系数表现出强烈的色散效应, 即随归一化频率的增加而逐渐减小, 达到最小值后迅速递增, 体现了场局域效应和慢光效应对光子晶体中非线性效应的共同作用.本文研究对利用人工微结构调控光学非线性效应具有一定参考价值.

利用化学气相沉积法(CVD)在表面溅射Au和沉积ZnO籽晶的硅衬底上分别生长高度有序、垂直密布的直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列, 利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)谱测试手段对所制备样品进行表征和发光特性的研究。所制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒的直径为350~400 nm, 高度为10~11 μm;室温PL谱观察到3个来源于Zn2GeO4的典型发光峰。最后, 对CVD法制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒生长机理进行了分析。该种直立性良好的一维纳米棒材料可以广泛地应用到纳米光电子器件中。

利用化学气相沉积法（CVD），气-液-固(VLS)生长法则在表面溅有金属Au催化剂层的1 cm×1 cm的Si片上制备三元Zn2GeO4纳米线。X射线衍射仪(XRD)测试结果表明，锌源与锗源质量比为8∶1时可成功制备出Zn2GeO4纳米结构；扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明，Zn2GeO4纳米线直径为100 nm，长度为10~11 μm；光致发光(PL)测试结果表明，Zn2GeO4纳米线在432和480 nm处具有两个发光峰，最后对其生长机理进行了分析。