作者单位
摘要
1 北京科技大学 新材料技术研究院,北京 100083
2 郑州航空工业管理学院 河南省航空材料与应用技术重点实验室,河南 郑州 450046
3 天津津航物理技术研究所,天津 300308
稀土掺杂可以有效地改变基体材料的结构并提高使用性能。利用磁控溅射法在单晶硅和多晶CVD金刚石上分别制备了未掺杂及La掺杂的Y2O3薄膜,研究了La掺杂氧化钇(Y2O3)增透薄膜的组成、结构及性能。X射线光电子能谱(XPS)和掠入射X射线(GIXRD)研究表明,金属La与O相互作用,以La-O化合物形式存在于Y2O3薄膜中,未掺杂的Y2O3薄膜呈现立方(222)面柱状晶体取向,随着La掺杂功率的增加,开始出现新的单斜Y2O3相(111)晶面。从扫描电镜(SEM)观察到不同La掺杂功率下Y2O3薄膜呈现柱状晶结构,结晶质量较好。由原子力显微镜(AFM)证实,与未掺杂的Y2O3薄膜相比,La掺杂的Y2O3薄膜具有较低的粗糙度(RMS)值。在La掺杂的Y2O3薄膜中,随着La浓度的增加,柱状晶的晶粒尺寸显著减小。在8~12 μm的长波红外范围内,La掺杂后的Y2O3/金刚石薄膜最大透过率为80.3%,与CVD金刚石相比,透过率提高19.8%。颗粒细小的La掺杂Y2O3薄膜具有较高的硬度和弹性模量,硬度由未掺杂(12.02±0.37) GPa增加到(14.14±0.39) GPa,弹性模量由(187±14) GPa 增加到(198±7.5) GPa。结果表明,与未掺杂Y2O3薄膜相比,La掺杂的Y2O3薄膜在保持较高红外透过率条件下,通过细晶强化获得了更高的硬度,有利于提升砂蚀、雨蚀等冲刷性能。
CVD 金刚石 Y2O3增透膜 La掺杂 透过率 CVD diamond Y2O3 anti-reflection film La doping transmittance 
红外与激光工程
2023, 52(12): 20230240
汪晖 1温秋玲 1,2,*黄辉 1,2黄国钦 1,2[ ... ]吴贤 3
作者单位
摘要
1 华侨大学 制造工程研究院,厦门 361021
2 高性能工具全国重点实验室,厦门 361021
3 华侨大学 机电及自动化学院,厦门 361021
为探究飞秒激光烧蚀金刚石的烧蚀特征及机理,进行了飞秒激光加工CVD单晶金刚石实验及温度场仿真模拟研究。研究了飞秒激光能量密度、扫描速度、扫描次数对金刚石烧蚀区内纳米结构的影响。研究表明,金刚石被加工区域出现了沿着110晶向的微裂纹,在微槽边缘区域形成了周期为100~230 nm的纳米条纹,微槽中心区域形成了周期为460~640 nm的纳米条纹,且纳米条纹的形貌与激光加工参数密切相关。通过实验获得了金刚石的烧蚀阈值为3.20 J/cm2,且当激光能量密度为24.34 J/cm2时,金刚石的烧蚀速率为44.8 nm/pulse,材料去除率为4.34×10-10 g/pulse。拉曼检测发现,微槽底部的金刚石发生了石墨化,理论计算的石墨层厚度为11.1 nm。根据不同激光能量密度下拉曼峰的频移计算飞秒激光辐照后金刚石微槽内的残余应力,当激光能量密度增加至24.34 J/cm2时,残余拉应力增大至1 389 MPa。温度场仿真结果表明,飞秒激光加工金刚石的材料去除主要是以金刚石升华为主,且飞秒激光辐照能量大多集中在金刚石的表层,几乎不会通过热传导扩散到金刚石内部。
飞秒激光烧蚀 CVD单晶金刚石 纳米条纹 烧蚀速率 石墨化 残余应力 温度场 Femtosecond laser ablation CVD single crystal diamond Nano-ripples Ablation rate Graphitization Residual stress Temperature field 
光子学报
2023, 52(12): 1214001
作者单位
摘要
1 中材人工晶体研究院有限公司,北京100018
2 中材人工晶体研究院(山东)有限公司,济南250200
3 中材高新材料股份有限公司,北京100102
自1963年参研“121”项目合成国内第一颗金刚石至今,从两面顶高温高压合成金刚石、金刚石工具到化学气相沉积金刚石,中材人工晶体研究院有限公司(简称晶体院)走过了六十年艰难而辉煌的金刚石研究历程。在一代又一代研究人员的努力下,通过技术研发有力推动了我国金刚石制备及工具应用技术的进步,为我国金刚石行业的蓬勃发展做出贡献。回看晶体院金刚石六十年研发历程,本文由点带面,期望在科技研发攻关、技术成果转化、发展思维等方面为新时代金刚石领域工作者提供启示与借鉴。
人造金刚石 超硬材料 CVD金刚石 金刚石工具 两面顶 synthetic diamond superhard material CVD diamond diamond tool belt press 
人工晶体学报
2023, 52(12): 2094
作者单位
摘要
1 深圳大学 材料学院,广东 深圳 518060
2 韩山师范学院 材料科学与工程学院,广东 潮州 521041
基于化学气相沉积(CVD)法制备的铯铅溴钙钛矿薄膜具有优异的光电特性,然而薄膜通常存在CsPbBr3和CsPb2Br5两个不同的相结构区域。本文通过CVD法制备了铯铅溴钙钛矿薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、电子能谱仪(EDS)及荧光光谱仪研究了反应气压与N2流量对其中的CsPb2Br5相结构的影响。实验结果表明,反应气压的变化对CsPb2Br5相结构无影响;与此不同,随着N2流量的减少,薄膜中部分CsPb2Br5相结构逐渐转变为CsPbBr3相结构,其发光也由以~630 nm为主的宽带发射转变为以~530 nm为主的窄带发射。实验表明,N2流量是调控CsPb2Br5相结构和发光特性的有效手段。
化学气相沉积 铯铅溴钙钛矿薄膜 CsPb2Br5相结构 chemical vapor deposition(CVD cesium lead bromide perovskite film CsPb2Br5 phase 
发光学报
2023, 44(4): 634
作者单位
摘要
芯三代半导体科技(苏州)有限公司, 苏州 215021
采用高速旋转垂直热壁化学气相沉积(CVD)设备在偏向〈1010〉晶向 4°的 n 型4H-SiC衬底上进行了同质外延生长, 在设定的工艺条件下, 外延膜生长速率达到40.44 μm/h, 厚度不均匀性和掺杂浓度不均匀性分别达到1.37%和2.79%。AFM表征结果显示表面均方根粗糙度为 0.11 nm; Leica显微镜观察显示外延膜表面光滑, 生长缺陷密度很低, 没有宏观台阶结构; Raman谱线清晰锐利, 表现出典型的4H-SiC特征。综合分析表明, 本实验使用国产的高速旋转垂直热壁CVD设备, 在较高的外延生长速率下, 获得了具有高厚度均匀性和高掺杂浓度均匀性的高质量4H-SiC外延膜, 对目前碳化硅外延产业的发展和半导体设备的国产替代具有良好的指导作用。
碳化硅 外延 化学气相沉积 CVD设备 厚度均匀性 掺杂浓度均匀性 SiC epitaxy chemical vapor deposition CVD equipment thickness uniformity doping concentration uniformity 
人工晶体学报
2023, 52(5): 918
张鑫 1,2沈俊 2湛立 2,3崔恒清 2[ ... ]武传强 4
作者单位
摘要
1 重庆交通大学材料科学与工程学院, 重庆 400714
2 中国科学院重庆绿色智能技术研究院, 重庆 400714
3 南京大学电子科学与工程学院, 固体微结构物理国家重点实验室, 南京 210023
4 安徽大学物理科学与信息技术研究所, 混合材料结构与功能调控教育部重点实验室, 合肥 230601
二硫化钨(WS2)由于具有可调的带隙、强的光-物质相互作用、较高的载流子迁移率等性质, 在光电子器件领域具有较为广泛的应用。本文通过常压化学气相沉积(CVD)法, 以硫粉和过渡金属氧化物为前驱体, 在SiO2/Si上生长了枝晶WS2/单层WS2同质结。在衬底上将样品的形貌演化分为了4个区域: 叠加生长区(Ⅳ)、树枝状WS2生长区(Ⅲ)、六角状WS2生长区(Ⅱ)和无明显形貌区(Ⅰ)。采用光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱、光致发光光谱、透射电子显微镜、扫描电子显微镜等测试手段系统比较了所制备枝晶WS2/单层WS2在衬底上数量、形貌、结构和性质的不同。研究发现枝晶WS2形貌的不同影响了实际缺陷浓度, 从而影响了拉曼特征峰位置。利用原子吸附模型和S、W蒸气比的变化解释了形貌演化的生长机理。此外, 基于枝晶WS2/单层WS2制备的背栅式场效应晶体管(FET)光响应率为46.6 mA/W, 响应时间和恢复时间达到了微秒级别, 性能优于大多数CVD法制备的单层WS2背栅式场效应晶体管(WS2-FET)。这一工作有助于进一步加强对二维薄膜材料可控生长的理解, 对制备大面积、高质量的枝晶型结构具有一定参考价值。
化学气相沉积 同质结 形貌演化 生长机理 场效应晶体管 WS2 WS2 CVD homojunction morphological evolution growth mechanism FET 
人工晶体学报
2023, 52(5): 909
曹晟 1,2张锋 1刘绍祥 2,3陈思凯 2,4[ ... ]赵洪泉 2,3
作者单位
摘要
1 重庆理工大学理学院, 重庆 400054
2 中国科学院重庆绿色智能技术研究院, 重庆 400714
3 中国科学院大学重庆学院, 重庆 400714
4 重庆邮电大学光电工程学院, 重庆 400065
化学气相沉积(CVD)是大尺度二维材料生长的有效方法, 但CVD过程不可避免地会产生高密度的空位缺陷, 影响材料的光电性能。本文利用碱金属卤盐辅助CVD法直接在p型Si(111)衬底上生长了毫米尺度和原子层厚的WS2。通过在钨源中掺入饱和ErCl3粉末, 得到Er掺杂WS2薄膜(WS2(Er))。结合光学显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线光电子能谱、能量色散X射线光谱、光致发光和拉曼光谱等技术对材料进行表征, 结果表明, 相比纯WS2, WS2(Er)薄膜的荧光强度获得数量级增长, 且中心波长大幅红移。荧光测试表明, 相比SiO2衬底上的WS2, 在Si衬底上生长的WS2的荧光特性出现了明显的电荷转移效应。基于SiO2衬底上的WS2和WS2(Er)场效应晶体管器件的光电测试结果表明, WS2(Er)场效应晶体管的光响应度为4.015 A/W, 外量子效率为784%, 均是同等条件下纯WS2器件的2 000倍以上。本工作对稀土掺杂二维材料的研究具有一定的参考意义。
化学气相沉积 二硫化钨 铒掺杂 单晶硅 荧光特性 光电特性 CVD WS2 Er doping single-crystal silicon fluorescent property photoelectric property 
人工晶体学报
2023, 52(5): 849
作者单位
摘要
1 Key Laboratory for Micro-Nano Physics and Technology of Hunan Province, College of Materials Science and Engineering, Hunan University, Changsha 410082, China
2 School of Materials Science and Engineering, Key Laboratory for Micro-Nano Physics and Technology of Hunan Province, Hunan University, Changsha 410082, China
MoS2 WSe2 Chemical vapor deposition (CVD) Vertical heterostructure Optoelectronic transistor 
Frontiers of Optoelectronics
2022, 15(4): s12200
杨旖秋 1,2,*韩晓桐 2胡秀飞 1,2李斌 1,2[ ... ]冯志红 4,5
作者单位
摘要
1 山东大学新一代半导体材料研究院, 济南 250100
2 山东大学晶体材料国家重点实验室, 济南 250100
3 济南金刚石科技有限公司, 济南 250100
4 专用集成电路国家级重点实验室, 石家庄 050051
5 中国电子科技集团公司第十三研究所, 石家庄 050051
本文通过高分辨X射线衍射(HRXRD)、激光拉曼光谱(Raman)、晶格畸变检测等测试分析方法对多组高温高压(HTHP) Ⅰb、HTHP Ⅱa和化学气相沉积(CVD)型(100)面金刚石单晶样品进行对比研究。HRXRD和Raman的检测结果均表明HTHP Ⅱa型金刚石单晶的结晶质量接近天然金刚石, 其XRD摇摆曲线半峰全宽和Raman半峰全宽分别为0.015°~0.018° 和1.45~1.85 cm-1。晶格畸变检测仪的检测结果表明, HTHP Ⅱa型金刚石单晶的应力分布主要有两种: 一种几乎无明显应力分布, 另一种沿<110>方向呈对称的放射状分布, 其他区域无晶格畸变。HTHP Ⅰb和CVD型金刚石单晶应力分布均相对分散, 晶格畸变复杂, 与其HRXRD和Raman的检测结果相符。进一步利用等离子体刻蚀法对三种类型金刚石单晶(100)面位错缺陷进行对比分析, 结果表明, HTHP Ⅱa型金刚石位错密度为三者中最低, 仅为1×103 cm-2。本研究为制备高质量大尺寸CVD金刚石单晶的衬底选择提供了实验依据。
HTHP Ⅱa金刚石 HTHP Ⅰb金刚石 CVD金刚石 结晶质量 应力 等离子体刻蚀 位错密度 HTHP Ⅱa diamond HTHP Ⅰb diamond CVD diamond crystal quality stress plasma etching dislocation density 
人工晶体学报
2022, 51(9-10): 1777
作者单位
摘要
1 华侨大学制造工程研究院,厦门 361021
2 苏州赛尔特新材料有限公司,苏州 215127
金刚石因其优异的物理性质被视为下一代半导体材料,然而其极高的硬度、脆性和耐腐蚀性导致其加工困难,尤其是对于大尺寸的化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)单晶金刚石(SCD)晶片而言,目前还缺乏一种高效、低成本的磨抛加工方法。本文提出一种基于工件自旋转的同心双砂轮磨抛一体化加工技术,在一次装夹中,先采用金刚石磨料的陶瓷内圈砂轮磨削单晶金刚石晶片表面,将单晶金刚石表面迅速平坦化,后采用金刚石与CuO混合磨料的外圈溶胶-凝胶(sol-gel,SG)抛光轮抛光单晶金刚石晶片表面,使其在较短时间内完成从原始生长面(Sa约46 nm)到原子级表面精度(Sa<0.3 nm)的加工。磨削加工中,硬质金刚石磨料的陶瓷砂轮高速划擦金刚石晶片表面,在强机械作用下获得较大的材料去除以及纳米级的光滑单晶金刚石表面,同时引起进一步的表面非晶化;SG抛光加工中,硬质金刚石磨料高速划擦单晶金刚石表面形成高温高压环境,进一步诱导CuO粉末与单晶金刚石表面的非晶碳发生氧化还原反应,实现反应抛光。磨抛一体化的加工技术为晶圆级的单晶、多晶金刚石的工业化生产提供借鉴。
CVD单晶金刚石 磨抛一体化 反应抛光 粗糙度 陶瓷砂轮 SG轮 CVD single crystal diamond integration technology of grinding and polishing reactive polishing roughness ceramic grinding wheel SG wheel 
人工晶体学报
2022, 51(5): 941

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