国防科技大学,光电学院,定向能技术研究所,湖南,长沙,410073
研究了PV型HgCdTe探测器在1.319 μm连续激光辐照下的温升效应.根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多.实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻温度随时间的变化以及探测器各层结构的温升情况,理论分析结果与实验结果相一致.
PV型HgCdTe探测器 温升 杜瓦冷面 Pt电阻 1.319 μm连续激光
1 国防科技大学理学院,长沙,410073
2 Department of Physics, Southern University and A & M College, Baton Rouge, LA 70813 USA
用连续波1.319 μm激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到了不同辐照功率密度下,探测器的响应输出随激光功率密度变化的一系列实验结果,观察到了器件对光的线性、饱和响应以外的一些新现象,如混沌、零压输出,并对实验结果作了初步的解释。
连续波1.319 μm激光辐照 PV型HgCdTe探测器 探测器零压输出
国防科学技术大学,理学院,湖南,长沙,410073
用连续波DF激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到不同辐照功率密度下,探测器响应输出的一系列实验结果,观察到器件饱和以外的如探测器混沌、探测器单极化等一些新现象,这些结果与理论预期有着较大差别.给出了实验结果的初步解释,该实验结果为今后更好地研究PV型HgCdTe探测器提供了新的线索.
连续波DF激光 PV型HgCdTe探测器 探测器混沌 探测器单极化 CW DF laser PVHgCdTe chaos in detector detector homopolarization
