GaN材料作为第三代半导体材料, 具有宽禁带、 直接带隙、 耐腐蚀等优点, 是一种非常有前景的MOEMS材料。 由于GaN的刻蚀目前尚未成熟, 因此图形化外延生长法是一种较好的选择。 本文基于SOI（silicon-on-insulator）基片, 利用硅的微加工技术和图形化GaN分子束外延生长工艺, 设计并加工了工作在太赫兹波段的、 可以在二维方向上运动的SOI基GaN光栅。 光栅周期为16 μm, 光栅宽度为6 μm, 峰值位置为25901 μm。 通过仿真优化, 设计的微驱动器在水平电压220 V时, 水平方向上的位移为±726 μm; 垂直方向加200 V电压时, 垂直位移25 μm。 为了研究在图形化SOI衬底上外延生长的InGaN/GaN量子阱薄膜的光学性能, 用激光拉曼光谱仪对薄膜进行了光致发光光谱实验。 实验结果表明, InGaN/GaN量子阱薄膜具有良好的发光性能, 其发光范围为350~500 nm, 覆盖了紫外光到黄绿光。 由于局域态效应与禁带收缩的作用, 随着环境温度由10 K升高至室温, 薄膜的PL光谱的峰位呈现“S”形变化趋势。