1 浙江大学物理系, 浙江,杭州,310028
2 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海
3 School of Electrical &
4 Computer Engineering, The University of Oklahoma,Norman.OK 73019.USA
5 CannSchool of Electrical &
采用分子束外延方法在Si(111)衬底上生长了PbSe/BaF2/CaF2薄膜,扫描电镜和X-光衍射分析显示,通过生长BaF2/CaF2缓冲层的方法,在Si(111)衬底上外延的PbSe薄膜晶体质量高,PbSe表面光亮,无开裂现象发生,X-光衍射峰峰宽窄(153arcs).外延生长的PbSe薄膜被应用于制作光电二极管,首次采用热蒸发金属铝膜在PbSe表面形成Al-PbSe肖特基结光电二极管,获得了比Pb-PbSe肖特基结更为稳定和理想的电流-电压特性曲线.
PbSe薄膜 BaF2/CaF2缓冲层 肖特基结 I-V特性. PbSe films BaF2/CaF2 buffer Schottky diode current-voltage characteristics.
