西北工业大学,理学院,光信息科学与技术研究所,陕西省光信息技术重点实验室,西安,710072
通过数值模拟和实验对SBN:Cr晶体中的(1+1)维亮屏蔽空间孤子及其诱导的实时平面光波导的导光特性进行了研究.采用分步束传播法和Petviashvili迭代法对(1+1)维亮屏蔽空间孤子的特性进行了模拟.通过求解本征方程,对孤子诱导平面波导中存在的导波模式进行了数值求解.采用633 nm的He-Ne激光作为孤子诱导光束,532 nm的半导体泵浦的固体激光作为探测光,在固液同成分的SBN:Cr晶体中进行了实验研究.实验结果和数值模拟的结果符合的很好.而且结果表明SBN:Cr晶体中红光诱导的波导可以作为实时光波导.
SBN:Cr晶体 亮屏蔽孤子 实时平面光波导 导光特性
西北工业大学应用物理系光子学研究室,西安,710072
从实验上研究了不同外加直流电场作用下固液同成分的SBN: Cr和SBN: Rh晶体的光致折射率变化规律.测量结果表明:无外加电场作用时,晶体中的光致折射率变化不明显;若在光辐照晶体的同时,沿晶体c轴方向施加一定方向的外电场,则晶体中即刻出现显著的光致折射率变化.这种折射率变化随外加电场的增大而增大,并且电场方向不同,折射率变化的正负也不同.因而可以通过改变外加电场的极性和幅度控制SBN: Cr和SBN: Rh晶体中光致折射率的变化特性,这对于在该类晶体中制作动态光波导具有重要意义.
光致折射率变化 SBN: Cr晶体 SBN: Rh晶体 外电场
从实验上研究了同成分SBN:Cr晶体在He-Ne激光照射下的四波混频相位共轭特性.首先测量了在不同泵浦光与信号光光强比m及不同光束夹角2θ的情况下,晶体的四波混频相位共轭反射率R随泵浦光强比p的变化关系.其次测量了泵浦光束与信号光束耦合方向对SBN:Cr晶体的四波混频相位共轭特性的影响,并就两种不同掺杂浓度的晶体样品进行了对比,所得实验结果与理论分析基本一致.最后,利用SBN:Cr晶体四波混频相位共轭特性进行了图象畸变消除实验.
光折变效应 四波混频 相位共轭 SBN:Cr晶体
