1 同济大学,波耳固体物理研究所,上海,200092
2 中国科学院,上海冶金所传感器国家重点联合实验室,上海,200050
研制具有网格或条状图形的Si刻蚀膜靶,用于XUV系统中像传递函数的研究.在自截止腐蚀工艺制备Si平面薄膜的基础上,结合离子束刻蚀工艺,获得刻蚀深度为1.0 μm左右,网格尺寸为25 μm×25 μm,或条状线宽为5 μm的Si刻蚀膜;测量了Si刻蚀膜的形貌和刻蚀深度;研究了离子束刻蚀参数对图形形貌的影响.并介绍采用两种靶型获得的像传递函数信息.
像传递函数 离子束刻蚀 Si刻蚀膜 Image transfer function Ion beam etching Silicon grating foil
