1 南昌大学材料科学与工程学院, 江西 南昌 330031
2 中国科学院宁波材料技术与工程研究所, 浙江 宁波 315201
为改善氧化钨电致变色薄膜的电化学循环稳定性，采用磁控溅射方法制备了钽掺杂的氧化钨电致变色薄膜。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）、光谱椭偏仪（SE）、紫外可见分光光度计、电化学工作站对薄膜的微观结构、光谱调制能力、着色效率、循环稳定性进行了表征和分析，研究了钽掺杂对氧化钨薄膜结构及电致变色性能的影响。结果表明，适量掺杂可以调节薄膜的微观结构，使薄膜中的裂纹减少，表面更为均匀；但当掺杂过度时，薄膜太过致密，甚至出现表面颗粒团聚凸起的现象，影响了薄膜的多孔性和均匀性，阻碍了离子在薄膜中的迁移和扩散；相对于未掺杂的氧化钨薄膜，适量钽掺杂的薄膜具有更宽的光谱调制范围和更高的着色效率，亦表现出良好的循环稳定性。
薄膜 电致变色 氧化钨薄膜 钽掺杂 电化学循环稳定性 光学学报
2014, 34(10): 1031001
江苏工业学院电子科学与工程系,江苏常州213164
将Ta2O5与V2O5均匀混合，压制成溅射靶，用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火，形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。x射线衍射结果显示，薄膜具有单一的(002)取向。XPS测试表明，膜中v为＋4价，Ta以替位方式存在。温度一电阻率测试表明，薄膜具有明显的相变行为，原子比为3％的Ta掺杂后，二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃。Ta原子的半径大于V原子的半径，Ta的掺入在薄膜中引入了张应力；5价Ta替代4价V，在d轨道中引入多余电子，产生施主能级，这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因
二氧化钒薄膜 Ta掺杂 离子束增强沉积 VO2 film Ta doping ion beam enhanced deposition phase transition
