作者单位
摘要
1 常州大学材料科学与工程学院, 常州 213000
2 常州大学微电子与控制工程学院, 常州 213000
3 扬州大学, 扬州 225000
本文使用气相输运沉积的方式制备了硒化锑(Sb2Se3)薄膜太阳电池, 并采用氯化铯(CsCl2)溶液对器件上界面进行处理, 同时对薄膜和器件进行了一系列表征。研究发现, CsCl2溶液的背接触处理不仅可以提高器件的载流子收集以及降低上界面复合, 还可以优化薄膜的结晶性、表面粗糙度和光电性能。基于FTO/CdS/Sb2Se3/CsCl2/Au的器件结构, 得到了转换效率为6.32%的高效Sb2Se3薄膜太阳电池, 比基础器件效率提升了12%。本文的工作对Sb2Se3薄膜太阳电池未来的研究有一定的指导作用, 其他同类型半导体光伏器件也可借鉴。
硒化锑 氯化铯 背接触处理 薄膜太阳电池 气相输运沉积技术 薄膜光电性能 Sb2Se3 CsCl2 back contact treatment thin film solar cell vapor transport deposition thin film photoelectric performance 
人工晶体学报
2023, 52(4): 636
作者单位
摘要
1 1.常州大学 江苏省光伏科学与工程协同创新中心 材料科学与工程学院, 常州 213164
2 2.江苏大学 微纳科学与技术中心, 镇江 212013
近年来钙钛矿材料因其优异的光电性能而成为光伏领域的研究热点, 但调控钙钛矿太阳电池内界面缺陷仍是亟需解决的关键问题之一。本研究在溶液两步法制备钙钛矿光吸收层的过程中引入有机小分子添加剂(L-3-(4吡啶基)-丙氨酸(L-3-(4-pyridyl)-alanine, (PLA))。测试结果显示引入PLA可提高器件的各光电性能参数, 含PLA器件的最优能量转换效率为21.53%, 而参照器件为20.10%。进一步研究表明引入PLA可延长荧光寿命, 降低器件的陷阱态密度(从5.59×1016cm-3降至3.40×1016cm-3), 促进界面电荷抽取, 抑制载流子复合。器件性能的提升是由于PLA促进PbI2在钙钛矿薄膜晶界处富集及PLA在界面处锚定起到了钝化缺陷的作用。本研究可以为进一步调控钙钛矿太阳电池的缺陷提供借鉴。
钙钛矿太阳电池 多官能团添加剂 陷阱态密度 载流子复合 perovskite solar cell additive with multifunctional groups trap state density carrier recombination 
无机材料学报
2021, 36(6): 629
作者单位
摘要
1 常州亚玛顿股份有限公司光电玻璃省重点实验室, 江苏 常州 213000
2 常州大学光伏科学与工程协同创新中心, 江苏 常州 213000
利用磁控溅射法,在不同工作压强下制备了氧化钨(WO3)薄膜,研究了工作压强对WO3膜层微观结构的调控作用,并研究了WO3膜层微观结构对其电致变色性能的影响。研究结果表明,制备的WO3薄膜属于非晶相,表面呈峰状结构;随着工作压强的增大,WO3薄膜膜层微观结构变疏松,电致变色响应时间和循环寿命均减短;在最佳膜层微观结构下,WO3薄膜光学密度可达0.64,循环寿命达1500周。
薄膜 微观结构 氧化钨 电致变色性能 
激光与光电子学进展
2017, 54(11): 113103
作者单位
摘要
1 常州大学 低维材料微纳器件中心, 江苏 常州 213164
2 江苏省光伏科学与工程协同创新中心, 江苏 常州 213164
3 东京工业大学 资源化学研究所, 日本 横滨 226-8503
通过再沉淀法制备了富勒烯C60/酞菁的复合纳米微粒。这种复合纳米微粒由于C60分子和酞菁分子间的π-π相互作用而具有电子给体-受体(donor-acceptor)结构,而且这种微粒的尺寸可通过选择再沉淀过程中使用的溶剂来进行控制。此外,这种微粒与Nafion结合后,表现出去除三甲胺的光催化性能,而且其光催化活性优于C60微粒/Nafion或酞菁微粒/Nafion复合物。该结果表明电子给体-受体结构可通过促进有机半导体的电荷分离来增强光催化的性能,从而揭示了一种新颖的基于电子给体-受体结构的有机光催化剂。
有机半导体 光催化剂 异质结 富勒烯 酞菁 organic semiconductor photocatalyst heterojunction fullerene phthalocyanine 
强激光与粒子束
2015, 27(2): 024141
作者单位
摘要
江苏工业学院电子科学与工程系,江苏常州213164
将Ta2O5与V2O5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。x射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向。XPS测试表明,膜中v为+4价,Ta以替位方式存在。温度一电阻率测试表明,薄膜具有明显的相变行为,原子比为3%的Ta掺杂后,二氧化钒多晶薄膜相变温度降低到约48℃。Ta原子的半径大于V原子的半径,Ta的掺入在薄膜中引入了张应力;5价Ta替代4价V,在d轨道中引入多余电子,产生施主能级,这些是掺钽二氧化钒多晶薄膜相变温度降低的原因
二氧化钒薄膜 Ta掺杂 离子束增强沉积 VO2 film Ta doping ion beam enhanced deposition phase transition 
红外技术
2010, 32(3): 173
作者单位
摘要
1 江苏工业学院,信息科学系,江苏,常州,213016
2 江苏工业学院,计算机系,江苏,常州,213016
在多晶薄膜晶粒-晶界两相结构模型的基础上,考虑载流子对晶粒间界势垒区的隧穿机制,在10℃~100℃的温度范围内,模拟了Sol-gel多晶二氧化钒薄膜电阻率随温度的变化,模拟结果与实验结果有较好的吻合.模拟结果显示,二氧化钒多晶薄膜的晶界效应限制了薄膜相变时电阻率的变化,并使薄膜在金属相时呈现负的温度系数.
二氧化钒多晶薄膜 两相结构模型 隧道穿透 溶胶-凝胶法 VO2 polycrystalline film two phase model grain boundary tunneling sol-gel method 
红外与毫米波学报
2004, 23(4): 317

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