1 中国科学院上海技术物理研究所，红外物理国家重点实验室，上海200083
2 中国科学院上海微系统研究所，信息功能材料国家重点实验室，上海200050
利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20 nm、 单边δ掺杂的 In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱，根据量子阱平面与磁场不同夹角时SdH振荡的拍频节点移动，提取了其自旋分裂能Δ0和有效g因子|g*|，发现Δ0随浓度增加而增大，|g*|随浓度增加而减小.进一步的分析和计算表明，|g*|减小是由量子阱能带结构的非抛物性作用引起的.
InGaAs/InAlAs量子阱 零场自旋分裂 塞曼分裂 有效g因子 InGaAs/InAlAs quantum well zero-field spin splitting Zeeman splitting effective g-factor
中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学开放实验室, 上海 201800
表述了钠D2线跃迁所包含的24个磁子能级的原子在一维σ+-σ-冷却光和再抽运光中产生的稳态多普勒冷却力。讨论了不同磁场强度、不同再抽运光强和失谐情况下原子的多普勒冷却力及对磁光陷阱中最大捕陷速度、原子数目及温度的影响。
激光冷却和囚禁 磁光陷阱 多普勒冷却力 多能级原子 塞曼分裂 再抽运光
