一维（1D）半导体纳米线在纳米电子学和纳米光子学中表现出色。然而，纳米线晶体管的电特性对纳米线与衬底之间的相互作用非常敏感，而优化器件结构可以改善纳米线晶体管的电学和光电检测性能。本文报道了通过一步式光刻技术制造的悬浮式In₂O₃纳米线晶体管，显示出54.6 cm²V⁻¹s⁻¹的高迁移率和241.5 mVdec⁻¹的低亚阈值摆幅。作为紫外光电探测器，光电晶体管显示出极低的暗电流（~10⁻¹³ A）和高响应度1.6×10⁵ A•W⁻¹。悬浮晶体管的沟道材料的这种简单而有效的制备方法可广泛用于制造高性能微纳米器件。

在YSZ（100）衬底上，采用脉冲激光沉积法在500 ℃至700 ℃的不同沉积温度下生长出尖晶石结构的Mn_1.56Co_0.96Ni_0.48O₄（MCNO）薄膜.由于沉积温度是制备高质量薄膜的重要因素，因此本文研究了MCNO薄膜结构、电学和磁学性能随沉积温度的变化.通过对X射线衍射图和原子力显微镜图像的分析，发现MCNO薄膜的结晶与沉积温度有很大关系.随着沉积温度的升高，MCNO薄膜的电阻率呈V型变化，其导电过程可以用小极化子跳跃机理来描述.同时，随温度变化的磁化曲线表明所有样品都显示出从铁磁性到顺磁性的转变，且沉积温度为600 ℃的MCNO薄膜具有216 K的高居里温度.以上研究结果表明，在600 ℃沉积的MCNO薄膜具有适用于热敏电阻器件和多功能异质结所需的良好性能.

针对红外探测器制作特性的要求，改善制作材料的物理性能，为此研究了经硅掺杂的InAs/GaSb二类超晶格薄膜（由MOCVD生长）在12~300 K温度范围下的磁输运性质。用范德堡法进行电学测量，应用霍尔效应原理，计算各温度下样品的迁移率和载流子浓度。在低温下，观察到了薄膜的弱局域效应（weak localization, WL），且发现硅的掺杂使其有更好的WL稳定性。并用三维Kawabata模型来拟合弱局域效应，得到相位相干长度的值，解释了掺杂n型硅对于InAs/GaSb二类超晶格量子局域化的有利性，从而为红外探测器件的开发提供了有价值的参考。