中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
采用气相外延技术生长Au掺杂的Hg1-xCdxTe薄膜材料, 利用范德堡法对薄膜材料进行电学性能表征.通过变温霍尔测量, 分析了常规Au掺杂p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化, 利用二次离子质谱(SIMS)分析薄膜中Au的纵向分布趋势.讨论了三种反常p型薄膜的霍尔系数和霍尔迁移率随温度的变化.通过变磁场霍尔测量, 分析了具有反型层Hg1-xCdxTe薄膜的迁移率谱, 证实了由于表面电子、体电子以及体空穴混合导电造成的反常霍尔性能.
Hg1-xCdxTe晶体 磁输运 迁移率谱 二次离子质谱 Hg1-xCdx Te crystal magneto-transport mobility spectrum secondary ion mass spectroscopy (SIMS)
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海200083
窄禁带碲镉汞(HgCdTe)是电子和空穴混合导电的多载流子体系材料, 特别是对于p材料, 由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级(b=μe/μh≈102), 更容易受到少数载流子电子的干扰, 因此单一磁场的霍尔测试无法准确有效地给出p型材料的电学参数.通过变温变磁场的霍尔测试对p型HgCdTe材料的磁输运特性进行了测试, 结合迁移率谱技术确定了材料中各种载流子的迁移率, 并给出了它们对电导的相对贡献, 以及自然氧化对样品中各种载流子的影响.
碲镉汞 磁输运 迁移率谱 自然氧化 HgCdTe magneto-transport mobility spectrum autoxidation
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室， 上海 200083
详细分析了两类碲镉汞(HgCdTe)材料的磁输运特性，并以此寻找两类材料的有效筛选方法。窄禁带HgCdTe 是一种电子和空穴混合导电的多载流子体系材料。特别是“弱p型”材料，由于电子的迁移率比空穴的大两个数量级 ([EQUATION])，更容易受到少数载流子(电子)的干扰，因此通过单一磁场的霍尔测试无法区分 性能很差的低迁移率n型材料和“弱p型”材料。通过变温变磁场的霍尔测试对两种碲镉汞材料的磁输运特性进行了测试，并 结合迁移率谱技术分析了两者的差别。结果表明，利用迁移率谱技术可以很好地区分这两种碲镉汞材料。
霍尔测量 磁输运 迁移率谱 Hall measurement HgCdTe HgCdTe magneto-transport mobility spectrum
