1 上海理工大学 材料科学与工程学院，上海 200093
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083
在YSZ（100）衬底上，采用脉冲激光沉积法在500 ℃至700 ℃的不同沉积温度下生长出尖晶石结构的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4（MCNO）薄膜.由于沉积温度是制备高质量薄膜的重要因素，因此本文研究了MCNO薄膜结构、电学和磁学性能随沉积温度的变化.通过对X射线衍射图和原子力显微镜图像的分析，发现MCNO薄膜的结晶与沉积温度有很大关系.随着沉积温度的升高，MCNO薄膜的电阻率呈V型变化，其导电过程可以用小极化子跳跃机理来描述.同时，随温度变化的磁化曲线表明所有样品都显示出从铁磁性到顺磁性的转变，且沉积温度为600 ℃的MCNO薄膜具有216 K的高居里温度.以上研究结果表明，在600 ℃沉积的MCNO薄膜具有适用于热敏电阻器件和多功能异质结所需的良好性能.
薄膜技术 脉冲激光沉积 沉积温度 磁学性能 thin film technology pulsed laser deposition deposition temperature magnetic properties
采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化，说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤; 光响应非均匀度随膜厚增加而增大; 动态范围却随膜厚增加而减小; 量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时，研究发现敏化膜层最佳厚度为389 nm，此时CMOS传感器的量子效率提高了10%，且光响应非均匀度，动态范围均在相对较好的范围内.
传感器技术 薄膜技术 紫外敏化 互补金属氧化物半导体传感器 荧光材料 量子效率 动态范围 Sensor technology Thin film technology Ultraviolet sensitizing Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS) Quantum efficiency Dynamic range
中国空间技术研究院 西安分院，陕西 西安 710100
随着卫星应用频段提高到毫米波甚至太赫兹频段，常规陶瓷基材在损耗、表面状态上的不足已非常突出，石英基材将成为星载微波电路板的首选。但由于石英基材自身的特点以及高频段应用的特殊要求，石英基材微带电路的制作技术在国内还不成熟。文章通过对石英基板材料特性、工艺流程、关键工艺技术进行分析，提出了电路制作应注意的技术要领，以及工艺难点的解决方法。
石英 太赫兹 微带电路 薄膜工艺 quartz terahertz microstrip circuit thin film technology 太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(1): 23
中国科学院上海光学精密机械研究所中国科学院强激光材料重点实验室, 上海 201800
对光学薄膜的性能及制备技术等方面进行了简要的评述，并指出随着科学技术的进步，光学薄膜及相关技术不论从广度还是深度来看都得到了显著发展。
薄膜 薄膜技术 制备 检测 监控
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室
2 传感技术国家重点实验室,上海 200083
3 中国科学院研究生院，北京 100049
介绍了红外杜瓦组件的总体封装形式并回顾了国内外的发展情况，对7通道长波光导线列器件在杜瓦瓶中的基板封装形式进行了研究，提出了三种基于厚膜工艺和薄膜工艺的陶瓷基板封装形式.其中，第一种“直接引线式封装”体积过大，第二种“陶瓷针型栅格阵列封装”形式缺少合适接插件，而第三种”分时分组封装”形式使用了薄膜和厚膜基板相键合分时读出的方式，不仅很好地解决了布线问题，而且能方便地使用柔性电缆将信号引出，系统性能要求得到满足.
陶瓷多层基板 厚膜工艺 薄膜工艺 杜瓦封装 Ceramic multilayer board Thick film technology Thin film technology Dewar assembly
