MoS2是一种具有特殊能带结构的二维半导体材料，当层数较少时，其带隙会随层数显著减小。因此，基于MoS2势垒层的磁性隧道结会展现出更丰富的物理特性。文章通过理论计算分别得到了单层、双层、三层以及五层MoS2势垒层磁性隧道结的温度偏压相图，研究了铁磁电极半交换劈裂能对相图特性的影响。计算结果表明: 单层和三层MoS2势垒层磁性隧道结适合应用于低温器件中。其中，单层MoS2势垒层磁性隧道结在高功率工作环境下具有优异的性能。双层MoS2势垒层磁性隧道结的优化区域位于室温和低偏压区，因此适用于信息存储领域。五层MoS2势垒层磁性隧道结可通过调节铁磁电极参数使其工作在较宽的功率范围内。上述研究结果为MoS2势垒层磁性隧道结的应用奠定了坚实的理论基础。

在12～300 K的温度范围内研究了InSb薄膜(利用MBE生长)的磁阻效应随厚度的变化关系.实验发现厚的InSb薄膜只能产生半经典(∝B2)磁阻效应.而减小薄膜厚度, 在薄的InSb薄膜中会更容易出现弱反局域化效应, 从而造成在低温下(< 35 K) 出现了一个异常的随温度增加而迁移率降低的趋势.我们发现该弱反局域化效应可用HLN模型拟合, 证明了它可能来源于二维(2-D)体系, 比如InSb的界面态.

为检验雷电脉冲磁场辐射环境下无人机系统的安全可靠性，以某型无人机为试验对象，利用亥姆霍兹线圈和雷电浪涌发生器模拟雷电脉冲磁场，开展了无人机雷电脉冲磁场效应试验。实验结果表明，GB50057-94推荐的8/20 μs雷电脉冲磁场不会干扰无人机通信而导致数据链失锁，但是机载三轴磁航向传感器受磁场干扰严重，产生零点漂移并造成已知方向上读数偏差，且放电极性决定航向角变化趋势。经过机理分析发现，在线性工作区间内磁航向传感器能够利用各向异性磁阻效应引起电阻阻值变化的规律正常工作，但高峰值雷电脉冲磁场会导致坡莫合金电阻内部磁畴排列紊乱而出现磁化，改变了传感器磁敏感度以及输出特性，且只出现在磁敏感方向上。

对poly(3-hexylthiophene)(P3HT)光伏器件产生正、负向磁场效应的原因进行了研究。制作了不同活性层厚度的光伏器件，光电流的磁场效应对厚度的依赖非常明显：在活性层厚度为44 nm时，有28%的正效应;当活性层厚度提高为105 nm时，磁场效应变为负值(-52%)。为了研究产生这种效应的原因，制备了1(3methyloxycarbonyl)propyl1phenyl [6,6] C61(PCBM)与P3HT共混的器件。在共混器件中，磁场效应随着PCBM比例的提升而逐渐下降直至湮灭且磁场效应不再随活性层厚度发生变化。磁场效应的产生源于磁场可以调控单线态和三线态激子的比例，进而调节单线态激子主导的激子分离作用和三线态激子主导的激子电荷分离作用。实验结果显示出在纯P3HT光伏器件中，当PCBM加入到活性层中时，大量激子在给受体界面处分离成为自由载流子，单线态和三线态激子都可以高效地通过激子分离使光电流增强，激子比例不再影响光电流大小，所以磁场效应逐渐消失且对活性层厚度失去依赖。