作者单位
摘要
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室, 山西 太原 030051
利用感应耦合等离子体深硅刻蚀机与阳极键合机,制备出了应用于芯片原子钟的碱金属气室。以AZ4620光刻胶为硅片掩模,研究了深硅刻蚀后硅表面的形貌特征,对比了不同结构下深硅刻蚀速率。经过阳极键合,获得了三明治结构的微碱金属气室,并检测其饱和吸收谱线。实验结果表明:制备出的微碱金属气室在温度为80 ℃条件下出现明显的饱和吸收现象。
原子与分子物理学 芯片原子钟 碱金属气室 饱和吸收 感应耦合等离子体 阳极键合 
激光与光电子学进展
2018, 55(4): 040201

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