A Mach-Zehnder interferometer (MZI) for high temperature (1 000℃) sensing based on few mode fiber (FMF) was proposed and experimentally demonstrated. The sensor was fabricated by fusing a section of FMF between two single-mode fibers (SMFs). The structure was proven to be an excellent high temperature sensor with good stability, repeatability, and high temperature sensitivity (48.2 pm/℃) after annealing process at a high temperature lasting some hours, and a wide working temperature range (from room temperature to 1 000℃). In addition, the simple fabrication process and the low cost offered a great potential for sensing in high temperature environments.

热处理技术在整个 HgCdTe材料器件工艺中有着重要地位。在一定的热力学条件下对 HgCdTe材料进行热处理，可通过原子的热运动，调整材料电学性能和掺杂原子的占位形态、降低材料缺陷密度，以达到改善 HgCdTe材料器件性能的目的。从热处理与电学性能、热处理与缺陷密度、掺杂材料中的热处理技术以及器件工艺中的热处理技术等几方面进行了总结论述。

采用电子束蒸发沉积技术制备了355nm Al₂O₃/MgF₂高反射薄膜,并在真空中进行不同温度梯度的退火,用X射线衍射(XRD)观察了薄膜微结构的变化,用355nm Nd:YAG脉冲激光测试了薄膜的激光损伤阚值,用Lambda 900光谱仪测试了薄膜的透过和反射光谱.结果表明在工艺条件相同的条件下真空退火过程对薄膜的性能有很大的影响,退火温度梯度越小的样品,吸收越小,阈值越大,并且是非晶结构.选择合适的真空退火过程可以减少355nm Al₂O₃/MgF₂高反射膜的膜层吸收,提高薄膜的激光损伤阈值.

利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点。经过退火之后进行的X射线衍射(XRD)实验表明了氧化锌的形成。在室温条件下, 经过900 ℃和1000 ℃退火的样品的光致发光(PL)谱中在375 nm附近表现出强的紫外光发射。从77 Κ到室温的变温光致发光谱的结果表明限制在氧化镁基质中的氧化锌量子点具有比较大的激子束缚能。此外,还讨论了退火温度和发光性质的关系。