作者单位
摘要
1 上海大学 理学院物理系,上海 200444
2 昆明物理研究所,昆明 650223
3 武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
报道了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜表面与界面X射线光电子能谱(XPS)的研究及结果。系统地介绍了HgCdTe阳极硫化+ZnS钝化膜的制备,Br2-CH3OH与HgCdTe化学抛光的反应过程,阳极硫化的化学组成及生长机制。阐述了该钝化结构不同深度的组分分布及其对HgCdTe光伏器件电学特性的影响。
X射线光电子能谱 表面钝化 阳极硫化 HgCdTe HgCdTe XPS surface passivation anodic sulffide 
光电子技术
2009, 29(2): 82

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