1 中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心, 四川 成都 610299
2 四川大学 物理科学与技术学院, 四川 成都 610065
利用Silvaco软件对Al0.2Ga0.8N/GaN共振隧穿二极管(RTD)进行仿真, 重点研究了InGaN子量子阱结构及相应非对称势垒结构设计对其电流特性的影响。对比分析了子量子阱结构中InGaN的In组分和子阱厚度对RTD微分负阻(NDR)特性的影响, 得出了提升器件性能的最佳参数范围。为了克服Al0.2Ga0.8N/GaN RTD势垒低对器件电流峰谷比(PVCR)的影响, 在子量子阱结构的基础上引入了非对称势垒结构设计, 通过改变收集区侧势垒的高度和厚度, 将AlGaN/GaN的Ip和PVCR由基本结构的0.42 A和1.25, 提高到了0.583 A和5.01, 实现了器件性能的优化, 并为今后的器件研制提供了设计思路。
共振隧穿二极管 AlGaN/GaN异质结 InGaN子阱 非对称势垒 Resonant Tunneling Diode AlGaN/GaN heterojunction InGaN sub-quantum-well asymmetric quantum-barrier 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(5): 855
