1 航天航空学院 强度与振动国家重点实验室 (西安交通大学)， 西安 710049
2 西北核技术研究所, 西安 710024
利用有源传输线模型与漂移-扩散模型的耦合计算模型，对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型N+-p-n-N+结构的双极晶体管负载的毁伤效应与规律进行研究，通过分析双极晶体管内部晶格温度分布，判定是否处于毁伤状态，总结双极晶体管烧毁时间和烧毁所需能量与脉冲X射线脉冲宽度和注量之间的关系。结果表明: 随着脉冲X射线脉宽增加，双极晶体管烧毁能量变化较小，烧毁时间逐渐增加; 随着注量增加，烧毁时间逐渐降低，在5.86 J/cm2以下时，烧毁所需能量基本相同，之后呈指数逐渐增加，并通过曲线拟合得到损伤规律的经验公式。
双极晶体管 毁伤效应 脉宽 注量 烧毁点 bipolar transistor damage effect pulse width fluence burnout point 强激光与粒子束
2014, 26(7): 074002
