ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿, 从而对p型掺杂造成障碍, 了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜, 发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高, 为1019 cm-3量级; 而高真空度下生长的样品, 其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低, 降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品, 通过不同的后处理手段进行处理后, 其电子浓度未发生明显变化, 说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源, 高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征, 发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰, 而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此, 高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。