作者单位
摘要
1 南华大学 衡阳 421001
2 核工业西南物理研究院 成都 610041
磁约束核聚变托卡马克装置来自芯部的高强热流与偏滤器靶板相互作用,不但会直接影响偏滤器寿命,同时会产生大量杂质影响等离子体芯部性能,而抽气是控制等离子体密度和杂质密度的重要手段。本文基于环流2号托卡马克(HL-2A)装置利用SOLPS-ITER程序研究了不同上游电子密度条件下抽气对偏滤器靶板热负载的影响。通过密度扫描发现在脱靶阈值(TetOSP~5 eV)附近抽气对靶板热负载影响更大,在抽气速率分别为12 m3·s-1、36 m3·s-1和96 m3·s-1时,外靶板脱靶阈值和热负载峰值分别为无抽气条件下的1.11、1.24、1.39倍和1.37、1.96、2.54倍。进一步从原子分子碰撞过程分析了ne,sep=0.19×1019m-3、0.6×1019m-3、0.9×1019m-3上游密度条件下抽气对偏滤器区等离子体和中性粒子参数分布的影响,发现在脱靶后密度条件下抽气会使氘分子密度明显降低,碰撞反应损耗的能量降低,从而导致靶板等离子体温度和能流增加。
托卡马克 偏滤器脱靶 抽气 边界等离子体 Tokamak Divertor detachment Pumping Edge plasma 
核技术
2022, 45(10): 100603
作者单位
摘要
解放军信息工程大学 信息系统工程学院, 郑州 450001
基于全局模型,引入氧负离子解吸附过程,完善了重复频率高功率微波脉冲弛豫模型,理论研究了重复频率高功率微波脉冲大气击穿弛豫过程,数值模拟了不同附着频率、解吸附频率以及初始电子浓度条件下,弛豫过程电子浓度随时间的变化规律。结果表明:弛豫过程电子浓度变化分为快衰减和慢衰减两个阶段;发现氧负离子的引入明显延缓了弛豫过程后期电子的衰减;解吸附频率与附着频率对弛豫过程有着相反的影响,解吸附频率越高,慢衰减阶段的电子浓度越高,快衰减阶段电子浓度变化不明显;附着频率越高,快衰减阶段电子浓度变化越剧烈,慢衰减阶段的电子浓度越低;初始电子浓度越大,慢衰减阶段电子浓度变化越剧烈。
高功率微波 重复频率 弛豫过程 附着 解吸附 氧负离子 high power microwave repetition frequency relaxation process attachment detachment O- ions 
强激光与粒子束
2017, 29(11): 113004
作者单位
摘要
1 俄罗斯科学院 高能密度研究所 高温实验室,莫斯科 125412
2 俄罗斯科学院 普罗霍罗夫普通物理研究所,莫斯科 119991
3 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,激光与物质相互作用国家重点实验室,吉林 长春 130033
报道了放电引发的非链式HF(DF)激光器中的激活介质由电子碰撞负离子分离引起的电离非稳定性。这种非稳性出现在电极空间分离、脉冲CO2激光加热的基于SF6的混合气体的大体积放电中。实验研究了自引发体放电过程中由激光加热引起的放电等离子体的自组织现象以及由此在放电间隙的大部分区域形成的准周期等离子体结构。重点分析了等离子体结构随气体温度和注入能量的变化,讨论了等离子体自组织对电子碰撞分离不稳定性所产生的影响,解释了混合气体中由于电子碰撞使负离子消失导致的单等离子体通道移动的产生机理。
HF/DF激光器 电离非稳定性 自组织现象 自引发体放电 等离子体结构 HF(DF) laser electron detachment instability self-organization phenomenon self-sustained volume discharge plasma structure 
中国光学
2011, 4(1): 31
作者单位
摘要
1 西安交通大学材料科学与工程学院,西安710049
2 山西师范大学化学与材料学院,临汾041004
用第一原理中的B3LYP和MP2方法,在6-311G*水平上对AlnPm-(n+m=5)的各种可能构型进行几何构型优化,预测各团簇的稳定结构,从中得出各个团簇稳定构型之间的基本关系,当n>m研时,团簇的稳定构型与Alm-相似,而当n<m时,团簇的稳定构型与Pm相似。并用B3LYP/6—311G。方法计算了AlnPm-的垂直电子离能(VDE)和绝热电子离解能(ADE),同实验数据符合的较好。
铝磷二元团簇 几何构型 电子离解能 Aluminum-phosphorous binary clusters Geometry Electron detachment energy 
原子与分子物理学报
2004, 21(2): 335
作者单位
摘要
1 复旦大学现代物理研究所应用离子束物理实验室,上海,200433
2 中国工程物理研究院,四川,绵阳,6219000
对Ag与He原子碰撞的单电子脱附过程进行了实验研究,使用增长率方法在5~10keV能量范围内对脱附截面进行了测量,得到在20keV时的典型值为6.6×10-16cm2.实验结果的不确定度约为8%.
电子脱附 银负离子 增长率方法 electron detachment Ag- growth-rate method 
强激光与粒子束
2001, 13(6): 766

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