1 中国科学院大学, 北京 100039
2 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现, 退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态, 使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后, 真空条件下退火, 240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大, Au掺杂的浓度几乎不变.但是, 温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响, 因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后, 霍尔测试得到的载流子浓度从2×1016 cm-3左右升高至5.5×1016 cm-3左右.
Au掺杂HgCdTe 电子束蒸发CdTe 退火 载流子浓度 Au分布 Au doped HgCdTe electron beam evaporation CdTe annealing carrier concentration distribution of Au
