红外与激光工程
2024, 53(1): 20230364
1 中国科学院大学, 北京 100039
2 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
对使用CdTe覆盖的HgCdTe材料在不同温度下进行了一系列的退火实验.研究发现, 退火可以改善电子束蒸发CdTe的晶体状态, 使CdTe和HgCdTe之间的界面状态得到改善.Au掺杂HgCdTe覆盖CdTe后, 真空条件下退火, 240℃和300℃对Au掺杂的浓度分布改变不大, Au掺杂的浓度几乎不变.但是, 温度的不同会对汞空位的浓度产生显著的影响, 因此退火温度不同会使载流子浓度明显不同.退火温度从240℃升高至300℃后, 霍尔测试得到的载流子浓度从2×1016 cm-3左右升高至5.5×1016 cm-3左右.
Au掺杂HgCdTe 电子束蒸发CdTe 退火 载流子浓度 Au分布 Au doped HgCdTe electron beam evaporation CdTe annealing carrier concentration distribution of Au
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 华东师范大学 信息科学技术学院 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200062
3 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品, 在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应, 说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线, 得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明, 电子的退相规律符合Nyquist退相机制.
反局域 退相干时间 自旋-轨道耦合 antilocalization phase coherence time spin-orbit interaction
1 中国科学院上海技术物理所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
2 中国科学院研究生院，北京 100039
采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5 μm，规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法，测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6~5.3 μm之间，而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列，获得了良好的电学性能，该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级，而-0.5 v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为，器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.
As掺HgCdT 长波HgCdTe红外光电二极管阵列 伏安特性 表面处理工艺 arsenic doped HgCdTe long-wavelength HgCdTe infrared photodiode arrays electrical characteristic surface processing
中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn 结制备光敏元, 通过间接倒焊技术和读出电路互联, 采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏 元的响应截止波长达到9.9μm, 相应的 R 0 A 达到10Ωcm 2 , 平均峰值探测率达到9.3×10 10 cmHz 1/2 W -1 , 响应不均匀 性为8%, 有效光敏元率大于99.5%.
长波 长线列 红外焦平面 碲镉汞 long wave long linear array infrared focal plane HgCdTe
中国科学院上海技术物理所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
在测试大量纤锌矿GaN外延薄膜透射光谱基础上,通过对有代表性的四个样品的透射光谱进行拟合,获取了GaN外延薄膜的光学常量并计算了薄膜厚度.结果表明:GaN外延薄膜的折射率差异较小,但在370～800 nm波长范围内消光系数差异很大,GaN薄膜的消光系数差异在一定程度上可用以评价外延薄膜的质量.
透射光谱 折射率 消光系数 GaN
