1 中国科学院上海技术物理研究所 1.传感技术国家重点实验室
2 3. 中国科学院大学, 北京 100039
3 中国科学院上海技术物理研究所 2. 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退, 表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电阻率增加。分析认为增大的压强使得材料内部产生了更多的填隙Hg离子, 增强了载流子受到的电离杂质散射作用; 同时材料内部也产生了更多的缺陷, 极化声子散射作用也因此加强。由此解释了在流片过程中出现的某一批次碲镉汞光导器件性能的恶化是该批次器件ICP刻蚀工艺中的气压参数增加所致。
ICP干法刻蚀 碲镉汞光导材料 刻蚀气压 电学特性 ICP dry etch MCT photo-conductive material etching pressure electric characteristics
1 华侨大学信息科学与工程学院， 福建 泉州 362021
2 泉州紫欣光电科技有限公司， 福建 泉州 362000
3 厦门光莆电子有限公司， 福建 厦门 361006
文章基于瓦级大功率白光LED在照明领域应用的广泛性和重要性，展开了瓦级大功率白光LED光色电特性的研究。采用大功率LED封装设备与紫外-可见光-近紫外光谱分析系统，制备并测量了瓦级大功率白色发光二极管(LED)在不同正向电流IF驱动下的光通量、电功率、发光效率、发射光谱和色品坐标等参数。研究表明, 光通量与电功率随IF的增大呈亚线性增长的趋势，而荧光粉转换效率下降是影响其辐射功率的主要原因之一。当电流增大时，白光LED光谱的蓝光峰值出现先蓝移后红移的现象，而黄光部分光谱形状无明显变化。此外，色坐标x、y值均随着IF的增大而降低，主波长减小，色温值升高。
发光学 瓦级大功率白光LED 光色电特性 色温 色品坐标 luminescence watt level high-power white LED photometric chromatric electric characteristics color temperature color coordinate
