设计了一种工作在S波段的能量选择表面，可实现超宽带自适应强电磁防护。该结构由两层金属周期结构组成，顶层为两个对称分布的金属条和一个金属片，金属条与金属片间加载两个PIN二极管；底层为十字架结构。当入射电磁波场强低于阈值时，能量选择表面工作在透波状态，电磁波可以传播；当入射电磁波场强超过阈值时，金属条和金属片之间产生的感应电压使得PIN二极管导通，此时能量选择表面进入防护状态，电磁波被屏蔽。通过对能量选择表面在PIN二极管导通和截止状态下的表面电流和电场分布以及等效电路模型进行分析，解释了该结构的工作原理。采用PCB制作工艺加工了实物样板并对弱场入射下的插入损耗以及强场入射下的防护效能进行测试。实验和仿真结果匹配性良好，表明该能量选择表面在透波状态下的工作中心频率为2.7 GHz，插入损耗小于1 dB的工作频带为2.2～3.5 GHz；在防护状态下，工作频带的防护效能大于10 dB，达到了超宽带的要求。

为研究能量选择表面的防护性能,采用PIN二极管Spice模型,通过时域的场路协同仿真得到了能量选择表面(ESS)的瞬态响应波形。对影响插入损耗和防护效能的参数进行研究,优化结构参数,减小了尖峰泄漏。研究表明,双层ESS较单层ESS能够有效防护反向脉冲,同时增加单元金属条的长度能够减小脉冲尖峰泄露。通过强电磁脉冲辐照实验,验证了ESS小信号传输与强电磁脉冲防护的自适应防护能力,为强电磁脉冲的防护提供了可靠的方法。

为实现强电磁脉冲防护和信号收发的兼容, 研究了一种基于能量选择机制的强电磁防护结构, 即能量选择表面。该防护表面利用半导体压控导电特性, 实现了强场辐照时防护表面由高阻态向低阻态的转变, 具有能量低通特性和超宽带特性。利用场路协同仿真方法, 分析了能量选择表面瞬态响应与PIN二极管阻抗特性、强电磁脉冲峰值场强及脉冲前沿的关系, 结果显示: 尖峰泄漏功率和响应时间与Ⅰ层厚度、强电磁脉冲峰值场强成正比, 与少数载流子寿命成反比变化。