1 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 中国科学院 新疆理化技术研究所, 新疆 乌鲁木齐830011
2 中国科学院大学, 北京100049
3 重庆光电技术研究所, 重庆400060
对电荷耦合器件进行了不同剂量率的γ辐照实验, 通过多种参数的测试探讨了剂量率与电荷耦合器件性能退化的关系, 并对损伤的物理机理进行分析。辐照和退火结果表明: 暗信号和暗信号非均匀性是γ辐照的敏感参数, 电荷转移效率和饱和输出电压随剂量累积有缓慢下降的趋势; 暗场像素灰度值整体抬升, 像元之间的差异显著增加; 电荷耦合器件的暗信号增量与剂量率呈负相关性, 器件存在潜在的低剂量率损伤增强效应。分析认为, 剂量率效应是由界面态和氧化物陷阱电荷竞争导致的。通过电子-空穴对复合模型、质子输运模型和界面态形成对机理进行了解释。
电荷耦合器件 暗信号 低剂量率损伤增强效应 暗场像素统计 charge coupled device dark signal enhanced low-dosed rate sensitivity dark pixel statistics
