以解析公式的推导、位移损伤实验结果以及位移效应的数值模拟结果为基础，分析了位移效应产生的缺陷作为非辐射复合中心和多数载流子陷阱两种情形下的激光二极管阈值电流、外微分量子效率及IV特性随辐照注量的变化规律。通常的实验注量范围内，缺陷主要作为非辐射复合中心，导致激光二极管阈值电流随注量呈线性增大，但外微分量子效率基本不变，IV特性低压区电流增大；当辐照注量较高，引起明显的多数载流子去除效应时，阈值电流随注量的增大不再呈线性关系，同时外微分量子效率下降，IV特性高压区的电流减小。
激光二极管 位移损伤 阈值电流 外微分量子效率 IV特性 laser diode displacement damage threshold current external differential quantum efficiency IV characteristics
