中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
对基于GaAs失配衬底的新型红外探测材料InN0.01Sb0.99薄膜的远红外反射光谱, 以及制备成光电导器件后的黑体响应和光电流谱进行了测试, 获得了80 K温度下, 响应峰值约为4.4 μm、半高宽约为3.5 μm、截止波长约为5.7 μm的中波宽带响应红外探测原型器件.研究了退火对InN0.01Sb0.99薄膜光电导器件性能的影响, 发现退火能够改善晶体质量, 提高器件的响应能力, 并减小Moss-Burstein效应的影响.
InNSb薄膜 红外反射光谱 红外探测器 退火 InNSb film far-infrared reflectance spectra infrared detector annealing
1 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
2 上海交通大学物理系,上海 200030
砷化镓(GaAs)是太赫兹波段半导体异质结构激光器的重要材料之一，为了获得p型GaAs材料在远红外波段的光学特性，采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在半绝缘GaAs(100)衬底上生长了掺Be的p型GaAs薄膜材料，其载流子浓度从1.54×1015～1.85×1019 cm-3。用远红外变换傅里叶光谱仪测量了其远红外反射光谱，并对反射光谱进行了理论模拟和分析，计算得出了不同空穴浓度的p型GaAs在远红外波段的折射率、消光系数和吸收系数。发现在这一波段消光系数和吸收系数均随着载流子浓度的增加而增大，吸收系数最大值可达到4.0×104 cm-1。
光学材料 光学常数 远红外反射光谱 p型GaAs
