为了对TFT-LCD中的闪烁不良进行改善，本文通过研究TFT-LCD中干法刻蚀（Nplus Etch）对TFT特性的影响，以此对刻蚀条件（Power、Gas）进行优化，达到降低Photo-Ioff的目的。实验结果表明，当干法刻蚀主工艺条件为：Source/Bias=4 k/5 k、Press=90 mT、SF6/O2=1.1 k/3 kml/min，AT Step条件为：Source/Bias=2 k/2 k、Press=100 mT、SF6/O2=3 k/3 kmL/min时，Photo-Ioff由量产最初的58.15降至20.52，闪烁由15%~30%降至10%以下。干法刻蚀工艺条件的优化对TFT特性以及闪烁有明显改善效果。