1 清华大学 电子工程系, 北京100084
2 北京京东方显示技术有限公司 客户服务部, 北京100176
3 京东方科技集团股份有限公司 Module材料企划部, 北京100176
4 京东方科技集团股份有限公司 TV部, 北京100176
研究了产品开发过程中新出现的一种原因未知的横向线状Mura问题。通过分析和改善研究表明, Gate Fan-out区域栅极线金属交替布线设计中不同金属层线电阻差异是导致横向线状未确认Mura发生的主要原因；通过变更栅极线金属层厚度及材料, 以降低整体电阻和不同金属层线电阻差异可以解决此种不良现象；并通过试验论证此方法的量产可行性。
横向线状Mura 扇形区域 栅极线金属层交替布线 horizontal line Mura fan-out area gate-line layer alternate layout design
1 清华大学 电子工程系，北京100084
2 北京京东方显示技术有限公司，北京100176
横线Mura是一种在TFT-LCD生产过程中产生的不良，对于画面品质有较大的影响。文中对横线Mura发生的原因进行分析，通过对金属膜层的应力测量及分析不良区域金属断面结构，认为横线Mura的发生是由于在栅电极成膜过程中，玻璃基板中心和边缘的Mo金属层的应力差异较大，造成在应力释放后Mo金属层与玻璃基板之间结合不紧密，从而影响到栅电极与源电极间的寄生电容参数发生变化和信号电平发生偏移。提出对栅电极膜层结构进行调整，将栅电极底层Mo金属膜去除可以有效地降低不良的发生比率，并进行了相关验证。
横线Mura 薄膜 应力 栅电极 horizontal line Mura thin film stress gate layer
