1 清华大学 工程物理系 加速器实验室， 北京 100084
2 清华大学 粒子技术与辐射成像教育部重点实验室， 北京 100084
通过建立X波段同轴磁控管模型，对起振过程进行PIC模拟，结果表明: 当衰减瓷损耗角正切大于0.010时，起振过程中可能受干扰模影响，但均能正常工作; 当选用损耗角正切为0.001或不具有衰减性能的材料时，磁控管可能无法正常工作。因此同轴磁控管中需要选用损耗角正切大于0.010的电介质材料。进一步对该磁控管进行冷态微波特性模拟研究，重点分析了磁控管主模、N/2-1干扰模在不同参数衰减瓷下的品质因数，模拟结果表明衰减瓷位置合理，当损耗角正切大于0.010时，对N/2-1模的吸收效果明显改善，验证了PIC模拟的结论。
同轴磁控管 衰减瓷 损耗角正切 PIC模拟 coaxial magnetron attenuator loss tangent PIC simulation 强激光与粒子束
2012, 24(12): 2889
1 电子科技大学 电子工程学院， 成都 611731
2 芬德雷大学， 俄亥俄州 芬德雷 45840, 美国
3 北卡罗来纳中央大学， 北卡罗来纳州 德汉姆 27707, 美国
采用双球镜准光腔、频谱仪和锁相返波管组建了D波段低损耗介质测试系统，该系统通过频谱仪和外置谐波混频器得到腔体谐振测试数据，并用拟合或积分方法从谐振曲线中求解出准光腔的品质因数。测得双球镜开腔的固有品质因数大于8×105，使该系统在工作波段可测量损耗角正切为10-5量级的低损耗介质。用该系统测出的石英、人造金刚石和蓝宝石的介电常数和损耗，与报道的结果一致，并测得4H-SiC在132.07 GHz的介电常数实部为9.598，损耗角正切为6.1×10-5。
准光学开放腔 锁相返波管 损耗角正切 高功率真空输出窗 Quasi-optical resonator phase-locked loop backward wave oscillator loss tangent high power microwave vacuum output window
