1 清华大学 工程物理系 加速器实验室, 北京 100084
2 清华大学 粒子技术与辐射成像教育部重点实验室, 北京 100084
通过建立X波段同轴磁控管模型,对起振过程进行PIC模拟,结果表明: 当衰减瓷损耗角正切大于0.010时,起振过程中可能受干扰模影响,但均能正常工作; 当选用损耗角正切为0.001或不具有衰减性能的材料时,磁控管可能无法正常工作。因此同轴磁控管中需要选用损耗角正切大于0.010的电介质材料。进一步对该磁控管进行冷态微波特性模拟研究,重点分析了磁控管主模、N/2-1干扰模在不同参数衰减瓷下的品质因数,模拟结果表明衰减瓷位置合理,当损耗角正切大于0.010时,对N/2-1模的吸收效果明显改善,验证了PIC模拟的结论。
同轴磁控管 衰减瓷 损耗角正切 PIC模拟 coaxial magnetron attenuator loss tangent PIC simulation 强激光与粒子束
2012, 24(12): 2889
1 电子科技大学 电子工程学院, 成都 611731
2 芬德雷大学, 俄亥俄州 芬德雷 45840, 美国
3 北卡罗来纳中央大学, 北卡罗来纳州 德汉姆 27707, 美国
采用双球镜准光腔、频谱仪和锁相返波管组建了D波段低损耗介质测试系统,该系统通过频谱仪和外置谐波混频器得到腔体谐振测试数据,并用拟合或积分方法从谐振曲线中求解出准光腔的品质因数。测得双球镜开腔的固有品质因数大于8×105,使该系统在工作波段可测量损耗角正切为10-5量级的低损耗介质。用该系统测出的石英、人造金刚石和蓝宝石的介电常数和损耗,与报道的结果一致,并测得4H-SiC在132.07 GHz的介电常数实部为9.598,损耗角正切为6.1×10-5。
准光学开放腔 锁相返波管 损耗角正切 高功率真空输出窗 Quasi-optical resonator phase-locked loop backward wave oscillator loss tangent high power microwave vacuum output window
介绍了一种测量低损耗天线罩材料的开腔高温自动测量系统.该系统采用扫频方式程控标量网络分析仪对开腔进行扫频测量,得到介质加载前后腔体的谐振频率与Q值,并由此计算出被测材料的介电常数和损耗角正切;介质采用特制硅碳管加热,由温度控制器对其控制,最高温度可达1 000 ℃以上.用此系统对聚四氟乙烯和一种低损耗天线罩材料进行测量对比.结果表明,测得的聚四氟乙烯结果与文献结果相近,天线罩材料相对介电常数的实部随温度升高而增加.
开腔 介电常数 损耗角正切 温度控制