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Millimeter Wave and Terahertz Technology
基于肖特基二极管的宽带低本振功率太赫兹四次谐波混频器
杨益林 1张波 1,*纪东峰 1王依伟 1[ ... ]樊勇 1
作者单位
摘要
1 电子科技大学 电子科学与工程学院，四川成都611731
2 中国电子科技集团第十三研究所 集成电路国家重点实验室，河北石家庄050000
介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率，对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示，在 7 mW 的最佳本振功率驱动下，该四次谐波混频器在 340~490 GHz的宽带内，变频损耗在 14.2~20 dB 之间。同时，该频段内的混频器噪声温度为 4020~17100 K。
四次谐波混频器 低本振功率 肖特基二极管 太赫兹频段 宽带 Fourth-harmonic mixer low local oscillator power Schottky diode Terahertz band wideband 
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红外与毫米波学报
2020, 39(5): 540
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