作者单位
摘要
1 电子科技大学 电子科学与工程学院,四川成都611731
2 中国电子科技集团第十三研究所 集成电路国家重点实验室,河北石家庄050000
介绍了基于反向并联肖特基二极管的宽带低驱动功率太赫兹四次谐波混频器。详细地分析了二极管寄生参量与混频器性能间的关系。为了降低四次谐波混频器的最佳本振功率,对肖特基二极管的主要参数进行了优化。实际测试结果显示,在 7 mW 的最佳本振功率驱动下,该四次谐波混频器在 340~490 GHz的宽带内,变频损耗在 14.2~20 dB 之间。同时,该频段内的混频器噪声温度为 4020~17100 K。
四次谐波混频器 低本振功率 肖特基二极管 太赫兹频段 宽带 Fourth-harmonic mixer low local oscillator power Schottky diode Terahertz band wideband 
红外与毫米波学报
2020, 39(5): 540
纪广玉 1,2,3,*张德海 1,2孟进 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院微波遥感技术重点实验室, 北京 100190
2 中国科学院国家空间科学中心, 北京 100190
3 中国科学院大学, 北京 100049
常温固态太赫兹谐波混频器是太赫兹系统应用中的关键器件。介绍了一款基于肖特基二极管的 670 GHz四次谐波混频器的仿真与设计。在高频结构仿真软件( HFSS)中对准垂直结构肖特基势垒变阻二极管进行三维结构建模, 采用基于谐波平衡算法的整体综合仿真方法对混频器进行仿真和优化。结果表明: 在功率为 10 mW的167 GHz本振信号驱动下, 混频器单边带变频损耗在 637~697 GHz射频频率范围内小于 13.8 dB, 3 dB变频损耗带宽为 60 GHz; 最优单边带变频损耗在 679 GHz为10.6 dB。
太赫兹 四次谐波混频器 准垂直结构 反向并联 terahertz fourth harmonic mixer quasi -vertical structure anti -parallel 
太赫兹科学与电子信息学报
2019, 17(4): 552

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