1 东南大学 毫米波全国重点实验室，江苏 南京 210096
2 紫金山实验室，江苏 南京 211111
本文基于0.1-μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（GaAs pHEMT）工艺，研制了一款覆盖整个W波段的宽带低噪声放大器。提出了一种由双并联电容组成的旁路电路，能够提供宽带射频接地，减小了级间串扰，利于实现宽带匹配。采用双谐振匹配网络实现了宽带的输入匹配和最佳噪声匹配。实测结果显示，最大增益在108 GHz处达到20.4 dB，在66~112.5 GHz范围内，小信号增益为16.9~20.4 dB。在90 GHz处，实测噪声系数为3.9 dB。实测的输入1-dB压缩点在整个W波段内约为-12 dBm。
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 低噪声放大器 宽带 W波段 GaAs pHEMT low noise amplifier （LNA） wide band W-band
北京理工大学 毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室，北京 100081
设计了D波段直接检波式辐射计前端，主要包括D波段检波器模块、D波段低噪声放大器模块和D波段标准增益喇叭天线.基于商用零偏二极管HSCH-9161研制出D波段检波器，测试结果显示在D波段内，最高灵敏度接近1 600 mV/mW，当频率小于140 GHz时，灵敏度大于400 mV/mW，在大于140 GHz频段内，灵敏度优于120 mV/mW.基于自研D波段低噪声放大器芯片研制出D波段低噪放模块，测试结果显示最大增益为10.8 dB@139 GHz，在137~144 GHz频率范围内，增益大于7.8 dB，输入端回波损耗优于5 dB，输出端回波损耗优于8.5 dB.最终搭建D波段直接检波式辐射计前端进行成像实验验证.
D波段 辐射计前端 低噪声放大器 检波器 D-band radiometer front-end low noise amplifier （LNA） detector
北京理工大学 毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室, 北京 100081
利用改进的小信号模型对采用100 nm InAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模, 并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度, 该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管微分电阻, 在等效电路拓扑中分别用Rfs和Rfd表示.为了验证模型的可行性, 基于该信号模型研制了W波段低噪声放大器单片.在片测试结果表明：最大小信号增益为14.4 dB@92.5 GHz, 3 dB 带宽为25GHz@85-110 GHz.而且, 该放大器也表现出了良好的噪声特性, 在88 GHz处噪声系数为4.1 dB, 相关增益为13.8 dB.与同频段其他芯片相比, 该放大器单片具有宽3 dB带宽和高的单级增益.
赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 小信号模型 毫米波和亚毫米波 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器 InAlAs/InGaAs/InP InAlAs/InGaAs/InP pseudomorplic high electronic mobility transistor small-signal model millimeter and submillimeter monolithic millimeter-wave integrated circuit (MM low noise amplifier (LNA)
东南大学 射频与光电集成电路研究所, 江苏 南京 210096
陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA用标准90-nm RF CMOS工艺实现并具有如下特征: 在28.5～39GHz频段内测得的平坦增益大于10dB；-3dB带宽从27～42GHz达到了15GHz, 这几乎覆盖了整个Ka带；最小噪声系数(NF)为4.2dB, 平均NF在27~42GHz频段内为5.1dB；S11在整个测试频段内小于-11dB.40GHz处输入三阶交调点(IIP3)的测试值为+2dBm.整个电路的直流功耗为5.3mW.包括焊盘在内的芯片面积为0.58mm×0.48mm.
毫米波 宽带 互补金属氧化物半导体(CMOS) 共栅 低噪声放大器(LNA) 集成电路(IC) millimeter-wave wide-band CMOS common-gate (CG) low-noise amplifier(LNA) integrated circuit (IC)
Nano-photonics and Optoelectronics Research Laboratory, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Shahid Rajaee Teacher Training University, Lavizan, 16788-15811, Tehran, Iran
Frontiers of Optoelectronics
2013, 6(3): 318
