1 山东华光光电子有限公司， 山东 济南 250101
2 山东大学晶体材料国家重点实验室， 山东 济南 250100
针对半导体激光器的能量损耗情况，设计优化了半导体激光器的结构，改进了材料的金属有机化学气相沉积（MOCVD）生长条件。采用低压MOCVD外延技术生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP应变量子阱大光腔结构，进而设计制作了808 nm大功率连续激光器芯片。25 ℃下，当输入电流10 A时，输出功率超过11.5 W，最大电光转换效率约62%。对5 W输出功率的808 nm激光器进行了老化实验，1000 h衰减小于2%。
半导体激光器 电光转换效率 低压金属有机化学气相沉积 光学学报
2011, 31(s1): s100308
