Author Affiliations
Abstract
1 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China
2 University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China
In this work, a novel one-time-programmable memory unit based on a Schottky-type p-GaN diode is proposed. During the programming process, the junction switches from a high-resistance state to a low-resistance state through Schottky junction breakdown, and the state is permanently preserved. The memory unit features a current ratio of more than 103, a read voltage window of 6 V, a programming time of less than 10?4 s, a stability of more than 108 read cycles, and a lifetime of far more than 10 years. Besides, the fabrication of the device is fully compatible with commercial Si-based GaN process platforms, which is of great significance for the realization of low-cost read-only memory in all-GaN integration.
wide-bandgap semiconductor one-time programmable Schottky-type p-GaN diode read-only memory device Journal of Semiconductors
2024, 45(3): 032502
江南大学 电子工程系 物联网技术应用教育部工程研究中心, 江苏 无锡 214122
Flash存算阵列在工作模式下需要用到不同内部驱动电压, 因此基于当前各类Dickson型电荷泵, 设计了一种针对Flash存算阵列的可调电荷泵。采用一种新型输出级的交叉耦合设计, 解决了传统电荷泵最后一级阈值电压导致的低泵送效率的问题, 并通过辅助MOS管增强了传统电荷泵中体源二极管对反向漏电流的抑制能力。55 nm CMOS工艺下的仿真结果表明, 与改进前的电荷泵相比, 在电源电压1.8 V和300 μA的工作电流下, 中间级反向漏电流减少了17.5%, 输出级反向漏电流减少了73.1%。无反馈调节时, 主电荷泵最高输出电压为9.56 V, 电压效率达88.51%。PFM可调制模式下, 可重构电荷泵能实现输出电压切换。
Flash存算器件 电荷泵 体源二极管 交叉耦合 flash memory device charge pump body-source diode cross-coupled
School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore 639798, Singapore
Frontiers of Optoelectronics
2022, 15(1): s12200
1 北京理工大学 光电学院， 北京 100081
2 贵州大学 大数据与信息工程学院， 贵州 贵阳 550025
以PS(聚苯乙烯)和PC61BM(\[6.6\]-苯基-C61-丁酸甲酯)为活性材料，通过加入导电性不同的缓冲层材料，优化了阻变存储器件的开关比。制备时分别以金纳米粒子(Au-NPs)、聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT∶PSS)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)材料作为器件的缓冲层，得到了开关比可调、存储机制不同的电双稳态器件。测试结果发现缓冲层材料导电性是影响器件开关比的关键因素，当缓冲层材料从绝缘性材料PVP换为导电性良好的金纳米粒子，其开关比从102逐渐增大到105。另外对于不同结构的存储机制，通过电流电压拟合曲线和能带原理图分析，发现缓冲层材料的导电性质及能级匹配是影响器件存储机制的重要因素。
有机 电双稳 存储器 缓冲层 organic electrical bistable memory device buffer layer
1 长春希达电子技术有限公司， 吉林 长春 130103
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所， 吉林 长春 130033
文章设计了一种无外接存储体的全彩LED显示屏发送卡，该发送卡具有实时传输、节约成本的优势，能够在通常的视频格式下，比如1,024×768 @ 60Hz、1,280×1,024 @ 60Hz，通过两路千兆网口将整个视频图像实时无损的传输。
全彩LED显示屏 发送卡 存储体 实时传输 full-color LED display sending card memory device real-time transmission
