作者单位
摘要
1 上海大学 微电子研究与开发中心,上海 200072
2 上海大学 机电工程与自动化学院,上海 200072
针对微显示器分辨率、刷新率低,显示运动画面时产生动态假轮廓等成像问题,通过分析超像素技术的特性及驱动原理,结合数字驱动方式,提出数字驱动型超像素扫描策略。利用人眼的积分特性和视觉暂留特性,通过帧与帧之间在时间上切换,空间上偏移的方式,降低数据传输带宽,改善动态假轮廓现象,提升显示器成像效果。结合超像素技术设计一款数字驱动型超像素微显示控制器,并在分辨率为2 048×2 048的全彩硅基OLED微显示器上验证其可行性。仿真分析结果表明,基于超像素的数字驱动扫描策略在分辨率主观感知不变的条件下,数据传输带宽减少50%。利用最小可察觉失真积分法进行评估,超像素扫描策略动态假轮廓等于0和不超过8灰度的概率分别约为93.3%和99.3%,成像质量有较大提升。
超像素 硅基OLED微显示器 数字驱动 动态假轮廓 微显示控制器 Super-pixel Silicon-based OLED micro-display Digital drive Dynamic false contour Micro display controller 
光子学报
2023, 52(9): 0911002
朱毅翀 1季渊 1,2,*
作者单位
摘要
1 上海大学微电子研究与开发中心,上海 200072
2 上海大学机电工程与自动化学院,上海 200072
为解决高分辨率、高刷新率微显示器存在的传输数据量过大的问题,针对人眼视觉特性以及数字驱动硅基有机发光二极管(OLED)微显示器的扫描方式,提出基于非对称椭圆中心凹最小可觉差(JND)模型的位平面图像压缩算法,并针对该算法设计了相应的硅基微显示控制器,在现场可编程门阵列(FPGA)平台上验证算法的可行性。实验结果表明,与当前其他JND模型相比,该模型更加符合人眼视觉特性,基于该模型的位平面图像压缩算法能够在不影响人眼主观感受的前提下,对图像进行较大程度的压缩,图像平均压缩率可以达到39.573%,能够有效降低微显示器中的传输数据带宽。
光学器件 视觉光学 微显示器 人眼视觉特性 非对称中心凹最小可觉差 数据传输 
中国激光
2023, 50(19): 1909002
作者单位
摘要
1 南京国兆光电科技有限公司,南京2006
2 中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京10016
应用200 mm硅基GaN外延片,研究晶圆级键合、薄膜转移和微小尺寸像素制备等技术,实现了Micro LED微显示阵列的点亮与显示功能。相对于传统蓝宝石基GaN外延晶圆,200 mm硅基GaN外延晶圆与硅基驱动晶圆尺寸更匹配,有利于通过晶圆键合工艺实现低成本量产。同时对工艺量产的难点和解决思路进行了分析,指出显示缺陷是目前亟待解决的问题。
发光二极管微显示芯片 硅基氮化镓外延片 显示缺陷 Micro LED micro-display chip silicon-based LED epitaxial wafer display defect 
光电子技术
2023, 43(2): 129
作者单位
摘要
南方科技大学电子与电气工程系,广东 深圳 518055
量子点是一种具有量子限域效应的半导体纳米晶,近年来,以其优异的光电特性得到了广泛关注。量子点具有发光效率高、发光波长可调、发光半峰宽窄、可溶液法低成本制备等优势,已被大量应用于显示领域,成为了新型显示的核心材料之一。微显示技术一般应用于有效显示区域对角线长度小于1 inch 的近眼显示场景中,近年来虚拟现实、增强现实等近眼显示场景的兴起,对高亮度、高像素密度、全彩色的微显示技术提出了更高的要求。本文将从量子点应用于高亮度、高像素密度的全彩微显示技术的角度出发,从光致发光和电致发光两条技术路线对现有的进展进行回顾和总结,最后对量子点应用于微显示技术面临的机遇和挑战进行展望。
量子点 微显示 光致发光 电致发光 quantum dot micro display photoluminescence electroluminescence 
光电工程
2022, 49(12): 220008
作者单位
摘要
1 上海大学微电子研究与开发中心,上海 200444
2 上海大学机电工程与自动化学院,上海 200444
硅基微显示器以单晶硅为衬底,背板中集成CMOS驱动电路,具有体积小、像素密度高、开关速度快、功耗低等特性,在近眼显示、投影、增强现实/虚拟现实(AR/VR)等领域具有广泛应用。综述数字微镜器件(DMD)、硅基液晶(LCoS)、硅基有机发光(OLED on silicon)、硅基二极管发光(硅基micro-LED)4种硅基微显示器,重点论述硅基OLED和硅基micro-LED的关键技术和研究进展。这些硅基微显示器具有主动发光、高分辨率、高刷新率、高对比度、低功耗等突出特点,在近眼显示领域拥有巨大的应用潜力。
硅基微显示器 近眼显示 硅基OLED 硅基micro-LED 
激光与光电子学进展
2022, 59(20): 2011007
作者单位
摘要
1 福州大学 物理与信息工程学院 平板显示技术国家地方联合工程实验室,福建 福州 350108
2 中国福建光电信息科学与技术创新实验室(闽都创新实验室),福建 福州 350108
作为目前信息显示技术领域的热点,近眼显示设备的发展承载着人们对未来信息交互方式的美好愿景,同时,人们对于增强现实显示的需求也在不断提升,近眼显示中的AR显示无疑成为近年来研究的热点。伴随着显示技术的不断发展,高度微型化和集成化成为近眼显示中重要的发展趋势,微发光二极管(Micro Light-Emitting Diode,Micro-LED)显示技术在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和稳定性等方面相比于其他技术均有巨大的优势,是近眼显示设备较为理想的光源和图像显示源。本文从结构、制备工艺及挑战方面分析了Micro-LED显示技术的研究进展,从人眼的视觉特性出发综述了近眼显示的发展现状,总结了Micro-LED应用于近眼显示的优势,对比了各项技术的先进性和可实现性,最后对其发展进行了展望。
近眼显示 微型发光二极管 微显示 增强现实 near-eye display Micro-LED micro display augmented reality 
液晶与显示
2022, 37(6): 661
作者单位
摘要
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093
针对现有的RGB合波器分立元件多、结构复杂、成本高等问题,同时为了满足器件的微型化发展和高效率传输的需求,设计了一种基于SU-8聚合物波导的多模干涉型(MMI)RGB合波器。该合波器通过2个级联的2×1MMI对RGB三个波长进行组合,第一级MMI使R(660 nm)、B(440 nm)光束进行组合输出,第二级MMI使R、B组合光束与G(550 nm)光束进行组合输出。通过对光束传播的仿真,优化了合波器的结构参数,验证了该合波器的有效性。研究结果表明,合波器对RGB三个工作波长的平均传输效率为94.02%,外型尺寸可小到0.04 mm×3.60 mm,并具有较大的工艺制作容差和较小的波长依赖性。该合波器结构简单,便于集成,在保证三个工作波长均获得较高传输效率的前提下实现了器件尺寸微型化,可为未来微型显示器件的研究提供参考。
RGB合波器 SU-8聚合物 多模干涉 微型显示 RGB beam combiner SU-8 polymer multi-mode interference micro display 
光学仪器
2021, 43(3): 9
作者单位
摘要
北京理工大学 光电学院 光电成像技术与系统教育部重点实验室,北京 100081
全景成像在特种车辆内夜间驾驶与观察、警戒监视等应用中具有广泛的应用需求。本文提出了一种基于OLED微显示器和变形目镜的全景图像显示方法,并设计了一套全景显示实验系统,通过图像处理模块完成全景图像数据的存储、缓存、图像预处理和传输,以OLED微显示器的子像素作为显示像素进行驱动信号重编码,实现全景灰度图像的水平3倍压缩显示,最后利用变形目镜将OLED微显示器上显示的压缩图像复原,以供人眼正常观察。实验结果表明: 采用现有系统搭建的变形目镜基本实现了双像素靶标条纹的亚像素分辨,并验证了本文全景显示方案的可行性。
全景图像 OLED微显示器 压缩显示 变形目镜 panoramic image OLED micro-display compression display anamorphic eyepiece 
中国光学
2018, 11(4): 684
作者单位
摘要
1 中国电子科技集团公司第五十五研究所,南京 210016
2 国家平板显示工程技术研究中心,南京 210016
基于硅基有源驱动芯片和单色LED显示阵列芯片,利用光刻及沉膜工艺,在芯片上完成了640×480铟柱阵列的制备,之后采用回流焊、倒装焊工艺,实现了驱动芯片和显示芯片的互联。结果表明: 采用倒装焊工艺可以实现硅基LED微显示器件的制作,具有可行性。
硅基发光二极管 微显示 铟-铟倒装焊 单色 silicon-based LED micro display In-In flip chip monochrome 
光电子技术
2017, 37(2): 119
段瑜 1,2张筱丹 1,2孙浩 1朱亚安 1,2[ ... ]李亚文 1,2
作者单位
摘要
1 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司, 云南 昆明 650223
2 昆明物理研究所, 云南 昆明 650223
通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构, 配合自有的 SVGA060全数字信号电路系统架构 CMOS硅基驱动电路, 获得了发光峰位于 535 nm的高亮度单色绿光、 0.6英寸、800×600分辨率 OLED微显示器件, 最大亮度可达 20000 cd/m2。其起亮电压为 2.6 V, 亮度从 20 cd/m2到 20000 cd/m2的驱动电压摆幅为 2.7 V, 最大电流效率为 24.43 cd/A。电流密度为 20 mA/cm2时, 色坐标 CIEX=0.286、 CIEY=0.665。该器件在 1000 cd/m2和 500 cd/m2亮度下的半衰期为 42559 h和 186208 h。
高亮度绿光 微显示器件 high brightness green emitting OLED OLED Micro-display 
红外技术
2015, 37(12): 1022

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