作者单位
摘要
1 辽宁工程技术大学电子与信息工程学院,辽宁 葫芦岛 125105
2 辽宁省无线射频大数据智能应用重点实验室,辽宁 葫芦岛 125105
结构光三维成像中广泛使用的数字光处理(DLP)投影仪存在结构复杂、设备体积大及投影非线性等问题,制约了结构光三维成像在高探测精度、小探测场景领域的应用。提出了一种集成超表面阵列和微机电系统(MEMS)二维扫描平台的结构光投影芯片设计。设计了基于几何相位原理的超表面阵列,用于生成格雷码和相移法混合编码结构光条纹。通过二维扫描平台突破单一静态超表面的限制,实现了基于时间编码的结构光条纹投影。结果表明:所设计的超表面结构对入射光具有良好的线性相位调制能力,光源转换效率为88.61%;生成的相移条纹符合正弦分布特性,很好地解决了DLP投影非线性问题;产生的条纹宽度均匀,最小宽度为2 mm,探测精度可达亚毫米级。有限元分析结果表明:所设计的二维平台的最小模态频率为511.91 Hz,抗干扰能力强,响应时间为2.4 ms,帧率为333 Hz,投影速率高。芯片尺寸为3 mm×3 mm。最后设计了芯片的集成制造工艺流程,为高探测精度、高投影速率微型化投影设备的制造提供了理论模型和系统解决方案。
表面光学 结构光 三维成像 超表面 微机电系统 
中国激光
2024, 51(6): 0613002
李明浩 1,2王俊强 1,2李孟委 1,2,3
作者单位
摘要
1 中北大学 仪器与电子学院, 太原 030051
2 中北大学 前沿交叉学科研究院, 太原 030051
3 中北大学 南通智能光机电研究院, 江苏 南通 226000
针对当前微机电系统(MEMS)发展对小型化封装的需求,设计了一种高可靠性、低成本、高深宽比的硅通孔(TSV)结构工艺流程。该工艺流程的核心是双面盲孔电镀,将TSV结构的金属填充分为正、反两次填充,最后获得了深度为155 μm、直径为41 μm的TSV结构。使用功率器件分析仪对TSV结构的电学性能进行了测试,使用X光检测机和扫描电子显微镜(SEM)分别观察了TSV结构内部的缺陷分布和填充情况。测试结果证明,TSV样品导电性能良好,电阻值约为1.79×10-3 Ω,孔内完全填充,没有空洞。该研究为实现MEMS的小型化封装提供了一种解决方法。
硅通孔 微机电系统封装 双面盲孔电镀 深反应离子刻蚀 through silicon via (TSV) micro-electromechanical system (MEMS) packaging double-sided blind via plating deep reactive ion etching (DRIE) 
微电子学
2021, 51(2): 265
作者单位
摘要
电子科技大学 电子工程学院,四川 成都 611731
方块谐振器的品质因数(Q)很高,但是插入损耗也很大。为了得到低相噪的微机电系统(MEMS)振荡器,需要进一步提高方块谐振器的Q 值,降低谐振器的插入损耗。通过支撑梁位置的合理设计可以达到极小的锚点损耗,从而实现非常高的品质因数。采用二阶面切变模态方块谐振器的设计方法,表现出了很多的优越性:Q 值更高,动态电阻更小(在间隙为0.25 μm 时达到82.1 Ω)。基于这种新型谐振器设计出的振荡器实现的相位噪声为:–156 dBc/Hz@1 kHz。
微机电系统谐振器 二阶模态 锚点损耗 相位噪声 Micro Electromechanical System resonator second-mode anchor loss phase noise 
太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(5): 820
作者单位
摘要
南京理工大学 化工学院, 南京 210094
为了研制具有高导通电流和高导通速率能力的单触发开关,利用微加工技术制备了基于Parylene C的三明治结构单触发开关.在主回路充电电压1.0 ~1.6 kV的范围内,分析了开关触发回路电流、电压特性,导通峰值电流、上升时间、开关延迟时间,并且对单触发开关的电感、电阻做了估算.结果表明,基于Parylene C的单触发开关性能优于基于聚酰亚胺的单触发开关;随着开关加载电压的升高,开关导通的峰值电流呈现不断增大的趋势,但是上升时间几乎不变,其延迟时间分布在1~200 μs之间,呈随机性分布,开关电阻随其作用时间增加不断增大.
单触发开关 聚氯代对二甲苯 爆炸箔起爆器 微电子机械系统 one-shot switch Parylene C exploding foil initiator micro-electromechanical-system 
强激光与粒子束
2015, 27(6): 064103
作者单位
摘要
中国科学院 电子学研究所 传感技术国家重点实验室 北京 100190
为了提高传感器的品质因数,有效保护谐振器,提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)-玻璃阳极键合工艺的谐振式微电子机械系统(MEMS)压力传感器的制作及真空封装方法。该方法采用反应离子深刻蚀技术(DRIE),分别在SOI晶圆的低电阻率器件层和基底层上制作H型谐振梁与压力敏感膜;然后,通过氢氟酸缓冲液腐蚀SOI晶圆的二氧化硅层释放可动结构。最后,利用精密机械加工技术在Pyrex玻璃圆片上制作空腔和电连接通孔,通过硅-玻璃阳极键合实现谐振梁的圆片级真空封装和电连接,成功地将谐振器封装在真空参考腔中。对传感器的性能测试表明:该真空封装方案简单有效,封装气密性良好;传感器在10 kPa~110 kPa的差分检测灵敏度约为10.66 Hz/hPa,线性相关系数为0.99 999 542。
微电子机械系统 谐振式压力传感器 绝缘体上硅(SOI) 阳极键合 真空封装 Micro-electromechanical System (MEMS) resonant pressure sensor Silicon On Isolation(SOI) anodic bonding vacuum packaging 
光学 精密工程
2014, 22(5): 1235
作者单位
摘要
南京师范大学物理科学与技术学院江苏省光电技术重点实验室, 江苏 南京 210023
设计并研制了一种新型光纤法布里珀罗压力传感器,通过光刻、硅片刻蚀、阳极键合等微机电系统技术制作而成,适合恶劣环境下、狭小空间内的微压环境压力测量。详细阐述了传感器的结构设计和制作方式。该设计巧妙地利用了光纤法兰盘,保证了光纤端面与敏感膜的平行,从而形成高质量的法布里珀罗干涉腔。该结构也有利于初始腔长的稳定,减小了传感器误差。建立了实验解调系统,对其压力、温度等特性进行了详细的测试。实验结果表明,在0~0.1 MPa的压力范围内,传感器线性度好,重复性高,灵敏度达到了61.6 μm/MPa。
传感器 微压传感 光纤传感器 法布里珀罗 微机电系统技术 
光学学报
2014, 34(4): 0428002
作者单位
摘要
渭南师范学院 物理与电气工程学院,渭南 714000
为了对硅V型槽的结构进行测量,采用热光源谱域光学相干层析成像法,进行了理论分析和实验验证,取得了硅V型槽的1维深度和2维层析图像,获得了硅V型槽的深度、上部宽度和底部宽度数据分别为145.38μm,212μm和32μm。结果表明,该测量结果与扫描电子显微镜测量值基本一致。这对微机电系统结构测量是有帮助的。
测量与计量 结构 光学相干层析成像 微机电系统 measurement and metrology structure optical coherence tomography micro-electromechanical system 
激光技术
2013, 37(5): 664
作者单位
摘要
1 空军某军事代表室, 陕西 西安 710068
2 95561部队, 西藏 拉萨 850002
回顾了光束扫描技术的发展历程, 重点分析微机电式和纯电控非机械式光束扫描技术的特点, 并综合对比它们各自的技术优势, 最后指出在高速率光通信系统中, 由于纯电控非机械式光束扫描技术得到广泛应用, 因此必须考虑该技术的色散特性对高速光通信系统误码率的影响。
光束扫描技术 扫描速度 微机电式 纯电控非机械式 beam scanning technology scanning speed micro-electromechanical system (MEMS) mechanics-free electrical control mode 
光电技术应用
2013, 28(4): 1
作者单位
摘要
同济大学 电子与信息工程学院,上海 201804
设计了一种无线倾角传感器来检测地下隧道的结构变形,并研究了该无线倾角传感器所采用的温度补偿和数字滤波算法。首先,根据地下隧道结构特点,结合微机电系统(MEMS)技术和无线传感器网络技术,给出无线倾角传感器的硬件结构,并描述了传感器实现无线通信和可视化上位机界面的软件设计流程。然后,针对地下隧道温度变化大、振动扰动频繁等因素,分析其对传感器精度的影响,实现了对无线倾角传感器的温度补偿。最后,通过对传感器数据噪声频谱分析,选择数字滤波方法,充分抑制振动对传感器的影响,提升了无线倾角传感器的测量精度。实验结果表明:无线倾角传感器在±30°范围内的测量精度为0.05°,符合地下隧道变形检测的功能需求。
微机电系统 无线传感器网络 倾角传感器 温度补偿 数字滤波 Micro-electromechanical System(MEMS) Wireless Sensing Network(WSN) inclinometer temperature compensation digital filter 
光学 精密工程
2013, 21(6): 1464
作者单位
摘要
清华大学 精密仪器与机械学系,北京 100084
提出了基于两步低温阳极键合工艺的碱金属蒸气腔室制作方法,用于实现原子钟、原子磁力计及原子陀螺仪等器件的芯片级集成。由微机电系统(MEMS)体硅工艺制备了腔室结构。首先采用标准工艺将刻蚀有腔室的硅圆片与Pyrex玻璃阳极键合成预成型腔室,然后引入氮缓冲气体和由惰性石蜡包覆的微量碱金属铷或铯。通过两步阳极键合来密封腔室,键合温度低于石蜡燃点198 ℃。第一步键合预封装腔室,键合电压小于缓冲气体的击穿电压。第二步键合在大气氛围中进行,电压增至1 200 V来增强封装质量。通过高功率激光器局部加热释放碱金属,同时在腔壁上形成均匀的石蜡镀层以延长极化原子寿命。本文实现了160 ℃的低温阳极键合封装,键合率达到95%以上。封装的碱金属铷释放后仍具有金属光泽,实现的最小双腔室体积为6.5 mm×4.5 mm×2 mm。铷的吸收光谱表明铷有效地封装在腔室中,证明两步低温阳极键合工艺制作碱金属蒸气腔室是可行的。
微机电系统 阳极键合 原子蒸气腔室 碱金属封装 芯片级原子器件 Micro-electromechanical System(MEMS) anodic bonding atomic vapor cell alkali metal packet chip-scale atomic device 
光学 精密工程
2013, 21(6): 1440

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!