作者单位
摘要
中山大学 电子与信息工程学院, 光电材料与技术国家重点实验室, 广东省显示材料与技术重点实验室, 广州 510275
作为一种典型的近藤拓扑绝缘体, 近年来六硼化钐(SmB6)材料受到了凝聚态物理和材料科学领域研究者的广泛关注。与块体材料相比, SmB6纳米材料由于具有更大的比表面积而拥有更为丰富的表面电子态, 因此被认为是一个研究表面量子效应和物理机制的理想平台。由于场发射电流主要来源于纳米材料的表面态, 所以研究SmB6纳米材料的场发射特性可以为研究其表面量子特性提供有益的参考。本研究利用化学气相沉积法, 通过控制实验条件在硅衬底上分别实现了SmB6纳米带和纳米线薄膜的生长。研究结果表明: 所制备的SmB6纳米线和纳米带分别为沿着[100]和[110]方向生长的立方单晶结构。场发射特性的测试结果发现: SmB6纳米带薄膜的开启电场为3.24 V/μm, 最大电流密度达到了466.16 μA/cm 2, 其场发射性能要优于纳米线薄膜。同时考虑到SmB6拥有很低的电子亲和势、高电导率和丰富的表面电子态, 所以若可以进一步提高其场发射特性, 那么很可能在冷阴极电子源领域有潜在应用。
六硼化钐 近藤拓扑绝缘体 纳米线 纳米带 场致电子发射 samarium hexaboride (SmB6) topological Kondo insulator nanowires nanobelts field emission (FE) 
无机材料学报
2020, 35(2): 199
作者单位
摘要
北京工商大学化学与环境工程学院, 北京 100048
采用水热法制备了CdSe纳米粒子负载的锐钛矿型TiO2纳米带复合材料, 并对产物的晶体结构、 形貌尺寸、 CdSe负载量及其可见光催化性能进行了测试。 结果表明, 产物中CdSe纳米粒子以闪锌矿型面心立方结构负载在TiO2纳米带表面, 负载量可控; 虽然CdSe纳米粒子的负载降低了TiO2纳米带比表面积, 但是显著增强了产物可见光吸收率。 对罗丹明B的可见光光催化降解活性测试结果表明, 若在产物表面CdSe负载量过多或者有大量NH3分子存在, 产物光催化活性较低, 相反地, 若CdSe负载量较低且NH3分子较少, 则产物光催化活性有很大提高。
水热合成 CdSe纳米粒子 TiO2 纳米带 光催化 Hydrothermal synthesis CdSe nanoparticles TiO2 nanobelts Photocatalysis 
光谱学与光谱分析
2011, 31(5): 1398
作者单位
摘要
Wuhan National Laboratory for Optoelectronics, College of Optoelectronic Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China
one-dimensional (1-D) nanostructures nanowires nanobelts nanotubes nanoscale devices 
Frontiers of Optoelectronics
2010, 3(2): 125
作者单位
摘要
北京工商大学化学与环境工程学院, 北京100048
以Sr(OH)2或Ba(OH)2和TiO2纳米带为前驱物, 通过水热反应直接制得了立方相MTiO3(M=Ba或Sr)纳米粒子负载的TiO2纳米复合材料. 采用XRD, SEM, TEM, HRTEM和UV-Vis等测试手段对产物的组成、 物相、 形貌、 结构和光学性质进行了详细表征. 结果表明, Sr(OH)2或Ba(OH)2的加入量或反应时间皆对MTiO3纳米粒子负载量有较大影响, 在一定程度上, 氢氧化物加入量增多以及反应时间延长, 纳米粒子负载量就会增大; 无论是纯TiO2纳米带还是复合纳米棒, 其吸收和发射光谱基本相同. 对罗丹明B可见光催化降解实验结果证实, 这些纳米复合材料皆有较高的光催化活性, 远高于P-25的光降解活性.
水热处理 纳米复合材料 TiO2纳米线 钙钛矿型纳米粒子 光催化 Hydrothermal treatment Nanocomposite TiO2 nanobelts Perovskite nanoparticles Photocatalysis 
光谱学与光谱分析
2010, 30(12): 3290
作者单位
摘要
Institute of Semiconductors, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
Mg-doped ZnO nanobelts chemical vapour deposition method of crystal growth 
半导体光子学与技术
2009, 15(4): 225

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